描述：600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP. For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2108S06F , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency
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100+
15.04
750+
14.6
1500+
14.32
3000+
14.03
产品参数
属性参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET；IGBT
驱动通道数2
峰值灌电流350mA
峰值拉电流200mA
电源电压10V~20V
上升时间150ns
下降时间50ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
IR2108PBF 产品概述
一、产品简介
IR2108PBF 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能半桥驱动器集成电路（IC），专为驱动IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和N沟道MOSFET等功率半导体器件而设计。该驱动器能够在寄生电容较大的应用中提供卓越的驱动性能，广泛应用于电机驱动、变频器、开关电源以及高压开关应用等领域。
二、技术规格
IR2108PBF的主要技术参数如下：
- 驱动配置: 半桥配置，这意味着它可以同时驱动一个高侧和一个低侧的功率开关，提升了电路设计的灵活性和简化性。
- 通道类型: 独立式，意味着每个驱动通道可以独立控制，可以实现复杂的控制策略。
- 驱动器数: 2，可同时驱动一对功率开关。
- 栅极类型: 兼容IGBT和N沟道MOSFET，适合多种应用场景。
- 电压 - 供电: 适用电源范围为10V到20V，易于为多种应用提供兼容电源。
- 逻辑电压: VIL（低电平阈值电压）为0.8V，VIH（高电平阈值电压）为2.9V，确保与大部分逻辑电路兼容。
- 电流 - 峰值输出: 在灌入和拉出方面分别提供200mA和350mA的输出电流，满足高效驱动需求。
- 输入类型: 非反相，提高了电路设计的简便性和可靠性。
- 高压侧电压 - 最大值: 最高可支持600V的电压，适用于高电压应用。
- 上升/下降时间: 典型值分别为150ns（上升）和50ns（下降），确保快速开关特性，加快开关频率。
- 工作温度范围: 从-40°C到150°C，使其适用在严苛的环境下。
- 封装结构: 采用8-DIP（0.300"，7.62mm）封装，便于PCB焊接和使用。
三、产品优优势
高可靠性与耐用性：凭借出色的热性能和可靠的电气参数，IR2108PBF经过优化，可在恶劣环境中持续工作。
灵活的设计选择：虽然IR2108PBF在封装上提供PDIP-8选项，但也可根据不同需求选择8 Lead SOIC、14 Lead SOIC及14 Lead PDIP封装，为设计提供了极大的灵活性。
高效驱动能力：高达350mA的拉出电流确保了快速且稳定的开关操作，适应现代高频电力电子应用的要求。
集成自举二极管：新版本（如2ED2108S06F）充分考虑了集成自举二极管的需求，提高了系统的整体性能和可靠性，适合高频应用。
简化应用设计：IR2108PBF操作简单，帮助设计工程师快速开发各种电力转换和驱动电路，缩短了开发周期。
四、应用领域
IR2108PBF广泛应用于以下领域：
- 电机驱动：在工业自动化和机器人技术中，实现高效能的电机控制。
- 变频器：用于控制交流电动机的频率及电压，提高电动机的调速性能。
- 开关电源：在电力转换及稳压领域，提供高效能和可靠性的解决方案。
- 高压开关：适用于各种高压开关设备，确保其稳定和安全的操作。
五、总结
IR2108PBF是一个功能强大的半桥驱动器，融合了高电压驱动能力、快速开关特性及高可靠性等多重优势，特别适于现代电力电子系统中的各种应用。其灵活的封装选择和简单的操作特性，使其成为设计工程师的优先考虑之一，能够在多种应用场景中展现出卓越的性能和超高的可靠性。