型号：
IPD70R900P7SAUMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：25+
包装：编带
重量：0.481g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 30.5W 700V 6A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存数量
库存：
5000
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.28
100+
1.76
1250+
1.53
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）900 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.8nC @ 10V
Vgs（最大值）±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）211pF @ 400V
功率耗散（最大值）30.5W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
产品概述：IPD70R900P7SAUMA1
一、产品简介
IPD70R900P7SAUMA1是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），其设计定位于高压电源管理、高频开关电源和各种工业应用。该产品具有优秀的电气性能和热管理特性，能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能。其封装采用TO-252（DPAK），适合表面贴装，便于集成于现代电子设备中。
二、主要技术参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 700V
- 连续漏极电流（Id）: 6A（Tc = 25°C）
- 导通电阻（Rds On）:
- 最大值900毫欧（@ 10V, 1.1A）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值3.5V（@ 60µA）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值6.8nC（@ Vgs = 10V）
- 栅极-源极电压（Vgs）: 最大值±16V
- 输入电容（Ciss）: 最大值211pF（@ 400V）
- 功率耗散: 最大值30.5W（Tc）
- 工作温度范围: -40°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-252-3（DPAK）
三、应用领域
IPD70R900P7SAUMA1广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其高电压处理能力和低导通电阻，使其成为开关电源设计中的理想选择，能够提高效率并降低功耗。
- 电机驱动器: 在电机驱动应用中，该MOSFET能够高效转换信号，提供稳定的工作性能。
- 工业自动化: 在各种工业控制系统中，IPD70R900P7SAUMA1能够有效驱动负载，并且其宽温范围适合在严苛环境下使用。
- 汽车电子: 高工作温度范围和高电压特性，使其适合在汽车电子控制单元中使用。
四、性能优势
- 高耐压设计: 700V的漏源电压使其能够在高压应用中稳定工作，适应宽广的输入条件。
- 低导通电阻: 900毫欧的导通电阻显著降低了导通时的功率损耗，提高了能效。
- 快速开关特性: 低栅极电荷值（Qg）能使MOSFET快速响应，有助于提升开关频率，从而在减少损耗的同时提高系统效率。
- 广泛的工作温度: 该MOSFET可以在-40°C到150°C的温度范围内正常工作，适合多种工业和汽车应用的需求。
- 优异的热管理能力: 最大功率耗散达到30.5W，使其适合高功率应用而不易过热。
五、结论
IPD70R900P7SAUMA1是英飞凌提供的一款具有卓越性能的N通道高压MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏源电压及广泛的工作温度，成为现代电子设备中不可或缺的重要元件。在未来的电源管理、电机驱动和工业自动化等多个领域，IPD70R900P7SAUMA1将继续发挥其关键作用，助力各类应用的高效运行。