HT7K1201 产品概述

一、产品简介

HT7K1201 是 HOLTEK（台湾合泰/盛群）推出的一款集成 FET 的单通道 H 桥驱动芯片，封装为 SOT-23-6，工作电压范围宽（1.8V–6V），适用于便携式与电池供电的小功率直流电机及惯性负载驱动。器件工作温度范围为 -40℃ 到 +85℃，静态电流仅 800μA，适合低功耗系统长时间待机使用；峰值电流能力可达 1.3A，用于短时冲击或突发负载。

二、主要性能参数

• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 工作电压：1.8V ～ 6V，兼容 1.8V 低压 MCU 及常见 3.3V/5V 系统
• 峰值电流：1.3A（短时脉冲）
• 导通电阻（Rds(on)）：约 500mΩ（单路）
• 静态电流（Iq）：800μA，低待机损耗
• H 桥数量：1（单路双向驱动）
• 集成 FET：是（简化外部功率器件设计）
• 封装：SOT-23-6，适合空间受限应用

三、典型应用场景

• 手机/可穿戴设备的振动马达驱动
• 小型玩具电机、微型风扇、摄像头模组的对位/对焦驱动
• 便携电器与 IoT 终端的小功率执行器
• 需双向控制且受限于 PCB 空间的驱动场合

四、设计与使用要点

• 热限与持续电流：峰值 1.3A 为短脉冲能力，持续电流受封装与 PCB 散热限制。建议按 P = I^2·Rds(on) 估算导通损耗，并结合 PCB 铜箔散热进行热预算；在 500mA~1A 区间需注意温升。
• 电源布线：在电源引脚附近放置 1μF～10μF 低 ESR 去耦电容，靠近器件焊盘，以抑制瞬态电流和电压尖峰。
• 感性负载保护：器件内部含体二极管，但对强感性或高能量反冲建议并联吸收网络（RC 抑制、TVS）以保护电源与器件。
• PWM 驱动：支持 PWM 控制实现速度或力矩调节。常用 PWM 频率为几 kHz 到几十 kHz，频率选择需平衡开关损耗与噪声（高频会增加切换损耗）。
• 接口兼容性：逻辑阈值随 Vcc 变化，适配 1.8V/3.3V/5V MCU 前需确认输入阈值和上/下拉要求。
• 布局建议：SOT-23-6 封装散热依赖 PCB，增大铜箔面积和加多通孔可改善散热；把电源回路短化、将感性负载线远离敏感模拟线。

五、封装与选型建议

SOT-23-6 小外形适合空间受限设计，但散热能力有限。若设计中存在长时间高电流工况，建议选用更大封装或增加外部 MOSFET。HT7K1201 更适合短时冲击或中小电流的双向驱动场合，如振动马达、小型直流电机等。选型时请结合系统的连续电流需求、PWM 工作占空比与 PCB 散热能力进行验证测试。