NTK3139PT1G

NTK3139PT1G 产品概述

基本信息

NTK3139PT1G 是 ON Semiconductor（安森美）推出的一款高性能的 P 型 MOSFET（场效应管），专为高效率和广泛应用于各种电子电路设计而设计。该器件采用了先进的 MOSFET 技术，具有优异的电子特性和热性能，适用于对尺寸、功率和可靠性有严格要求的行业。

主要特性

• 制造商: ON Semiconductor（安森美）
• 零件状态: 有源
• FET 类型: P 通道
• 封装类型: SOT-723，适合表面贴装应用
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C，满足高温环境下的稳定工作需求

性能参数

NTK3139PT1G 的关键性能参数包括：

• 电流 - 连续漏极 (Id): 660mA @ 25°C
• 漏源电压 (Vdss): 20V，适合多种低电压应用
• 驱动电压 (Vgs): 1.5V 至 4.5V，这使得该 MOSFET 在低压工作时也能保持良好的导通性能
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大值 480mΩ @ 780mA 和 4.5V，确保低功耗和高效能
• 功率耗散 (Pd): 最大值 310mW，能够在浪涌和瞬态条件下提供可靠的性能
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1.2V @ 250µA，低阈值有利于快速开关
• 输入电容 (Ciss): 最大值 170pF @ 16V，适合高速开关和高频应用

应用场景

NTK3139PT1G 极其适合用于各种电子设备的电源管理和开关应用。其主要应用领域包括：

• 无线和便携式设备: 由于其小巧的 SOT-723 封装和低功耗特性，非常适合智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。
• 电源管理电路: 在开关电源中，NTK3139PT1G 可用于实现高效的电源转换和调节。
• 汽车电子: 该 MOSFET 能够在宽温度范围内工作，适合汽车电子模块的应用，确保在严苛环境下的可靠性。
• 工业设备: 可以用于工业控制系统以及自动化设备中，满足高频、连续工作需求。

总结

NTK3139PT1G 作为一款P型 MOSFET，其优异的特性使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高效能处理器供电、开关电源，还是在低功耗设备中，均能发挥出色的性能。通过其优秀的导通电阻、低阈值电压和宽广的工作温度范围，该产品不仅满足了工程师对于高效能和可靠性的要求，也提升了整体系统性能。在表面贴装型 SOT-723 封装的保护下，NTK3139PT1G 可以在密集的电路布局中轻松集成，为各类应用提供完美的解决方案。