型号:

IRFR3411TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-252-3(DPAK)
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
IRFR3411TRPBF 产品实物图片
IRFR3411TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 32A 1个N沟道 DPAK
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.41
2000+
2.31
优惠券
券满50015
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@10V,16A
功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)71nC
输入电容(Ciss@Vds)1.96nF
反向传输电容(Crss@Vds)40pF
工作温度-55℃~+175℃

IRFR3411TRPBF 产品概述

概览

IRFR3411TRPBF 是一款高性能的N通道MOSFET,由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)设计和生产。其专为高电压(100V)、高电流(32A)应用而设计,常用于开关和放大电路。该MOSFET采用了表面贴装型(SMD)的D-Pak封装(TO-252-3),不仅提高了散热能力,还简化了自动化焊接 montagem process。这使得IRFR3411TRPBF在效率和可靠性方面均具有出色的表现,广泛应用于工业、汽车和消费电子市场。

关键参数

  1. 电压与电流规格

    • 漏源电压(Vdss):100V,这一高电压能力使其适用于各种高压应用场景。
    • 连续漏极电流(Id):32A(在25°C下的托夹温度Tc)。该特性为设备提供了优异的负载能力。
  2. 导通电阻与电流特性

    • 最大导通电阻(Rds(on)):在10V驱动电压下,当漏极电流为16A时,Rds(on)值为44毫欧。这一低Rds(on)特性意味着在工作中可以降低功率损耗,提升效率。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)):在250µA的测试条件下,最大阈值为4V,这意味着该MOSFET在较低的栅驱动电压下即可导通,更便于控制。
  3. 驱动特性

    • 驱动电压:最大栅源电压为±20V,兼容多种驱动电路,同时较高的栅极电荷(Qg:71nC @ 10V)可确保在高频开关应用中,实现快速开关转换。
    • 输入电容(Ciss):在25V时最大为1960pF,该值对于高频操作来说至关重要。
  4. 功率与温度规格

    • 最大功率耗散:可达到130W(在Tc条件下),在高负载条件下有效增强了MOSFET的稳定性。
    • 工作温度范围广泛:从-55°C到175°C,这使得该器件能够在极端环境下工作,适应恶劣的工业及汽车应用。

应用场景

IRFR3411TRPBF的性能特点使其适合于多种应用,包括但不限于:

  • 电源管理:在DC-DC转换器和电源开关电路中,该MOSFET能够有效控制电压和电流,提升整个电源系统的效率。
  • 电机控制:广泛用于电动机控制架构中,通过MOSFET实现快速开关,增强电机启动、停止和调速的精确性。
  • LED驱动:由于其低导通电阻特性,能够在LED驱动电路中高效工作,同时降低了散热需求,提高了整体系统的可靠性。
  • 汽车应用:在电动车辆和混合动力汽车中,IRFR3411TRPBF常用于电池管理系统与充电器中,其宽工作温度和高功率处理能力确保了在严格条件下的稳定工作。

封装和安装

IRFR3411TRPBF采用TO-252-3(D-Pak)封装,适合表面贴装(SMD) 技术。这种封装形式不仅方便安装和焊接,还具有优越的热管理能力,有助于有效散热。

结论

总的来说,IRFR3411TRPBF是一款性能卓越、适应性强的N通道MOSFET,凭借其高电压和电流能力、低导通电阻以及出色的工作温度,成为多个领域应用的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是LED驱动,其优越的技术特性使其能够满足现代电子设计工程师的需求,助力于更高效、更可靠的电路设计。