MT41J64M16LA-187E:B TR

MT41J64M16LA-187E:B TR 产品概述

1. 产品简介

MT41J64M16LA-187E:B TR是一款由知名半导体制造商Micron（镁光）生产的高性能动态随机存储器（DRAM），基于DDR3（第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器）技术。这款IC是为了满足现代高速计算和内存需求而设计的，特别适用于笔记本电脑、台式机、服务器及其他高带宽应用的内存扩展。

2. 基础参数

• 存储类型: 该存储器类型为易失性，意味着在断电后存储的数据将丢失。
• 存储容量: 单颗组件的存储能力为1Gb（64M x 16 bit），满足中高需求规格。
• 存储器格式: 选用SDRAM - DDR3格式，具备更高的数据传输率和较低的功耗。
• 存储器接口: 采用并联接口方式，便于多颗芯片并行工作，提高系统的整体性能。
• 时钟频率: 最高时钟频率为533MHz，支持高数据传输速率，有助于提升数据处理效率。
• 电压供电: 建议供电电压范围为1.425V至1.575V，在该范围内运行可确保稳定性及较低的功耗。
• 工作温度: 适用工作温度范围为0°C至95°C，具有良好的环境适应性。
• 安装类型: 本产品为表面贴装型（SMD），易于焊接和集成到现代电路板中。
• 封装/外壳: 异型的96-FBGA封装（9x15.5mm），不仅节省空间，也减小了电路板的复杂性。

3. 应用场景

MT41J64M16LA-187E:B TR适用于多种应用场景，包括：

• 个人计算机: 为笔记本电脑和台式机提供必要的内存支持，提升系统的多任务处理能力。
• 服务器系统: 可用于高性能计算（HPC）环境，增强数据中心内部信息处理速度。
• 嵌入式系统: 由于其紧凑的封装，适合应用于嵌入式设备和工业自动化产品中。
• 网络设备: 可在路由器、交换机等网络设备中使用，为数据传输提供快速缓存解决方案。

4. 性能特征

MT41J64M16LA-187E:B TR的性能指标包括：

• 高带宽: 随着DDR3技术的发展，产品的数据传输率相比前一代大幅提升，适合需要快速访问的应用。
• 低功耗: 相较于传统DRAM，DDR3在功耗方面更为经济，尤其在移动设备中展现明显的优势。
• 热稳定性: 该产品适当的工作温度范围和封装设计，使其在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。

5. 结论

MT41J64M16LA-187E:B TR凭借其高性能的数据传输能力和低功耗特性，成为各种电子设备中不可或缺的存储解决方案。无论是高端计算服务器、个人笔记本电脑还是嵌入式应用，这款DRAM均具备极佳的适用性和稳定性，是开发者和厂商的理想选择。随着对数据处理需求日益增加，MT41J64M16LA-187E:B TR将为未来各种应用提供强大支持。