型号:

SMMBTA06WT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-70-3(SOT323)
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
-
SMMBTA06WT1G 产品实物图片
SMMBTA06WT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 80V 500mA NPN SC-70-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.655
200+
0.452
1500+
0.411
3000+
0.384
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SMMBTA06WT1G 产品概述

概述

SMMBTA06WT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的NPN型三极管,专为高性能、低功耗的电子应用而设计。它采用小型SC-70封装(SOT-323),极大地节省了电路板空间,适用于需要紧凑布置的紧凑型消费电子产品、通信设备及工业控制系统。

核心参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大80V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大250mV(在10mA和100mA时)
  • 集电极截止电流 (Ic(off)): 最大100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小100(在100mA和1V条件下)
  • 最大功率: 150mW
  • 频率 - 跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: -55°C至150°C(结温TJ)
  • 封装类型: SC-70(SOT-323)

设计与应用

1. 低功耗特性

SMMBTA06WT1G 具有良好的低功耗特性,适用于低电压、低电流的应用。它的饱和压降仅为250mV,确保在高效能与低功耗之间达到极佳的平衡。该特性使其非常适合便携式设备和电池供电的应用。

2. 广泛的应用

此晶体管广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:

  • 线性放大器: 利用其高直流电流增益,SMMBTA06WT1G 可充当优质的线性放大器,以实现信号放大的目的。
  • 开关电路: 它的高Ic和低Vce(sat)使得该组件成为理想的开关元件,能够控制大功率设备的开关。
  • 射频应用: 由于其达到100MHz的跃迁频率,SMMBTA06WT1G 可用于高频信号的处理,适合通信设备。
  • 逻辑电路: 在数字电路中,该器件可用于构建逻辑门和触发器,应用于微控制器和微处理器的外围电路。

3. 适应恶劣环境

SMMBTA06WT1G 的工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在极端温度下稳定运行,适用于汽车、航空航天和工业设备等苛刻环境下的应用。

4. 封装与安装

SC-70(SOT-323)封装小巧,适合面向微型设备和紧凑型设计的产品。表面贴装(SMD)的安装方式便于自动化生产,提高了制造效率和可靠性。

结论

SMMBTA06WT1G 是一款性能卓越的NPN类型三极管,具备优异的电流放大能力、低功耗特性和显著的高频性能。它不但适用于广泛的电子产品,还能满足恶劣工作环境的要求,使其成为设计师和工程师在产品开发中不可或缺的重要元件。凭借安森美公司强大的技术支持与良好的市场声誉,SMMBTA06WT1G 是电子设计师在进行该类型器件选择时的理想之选。