描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
6000
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.671
200+
0.463
1500+
0.42
产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.03A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)750mΩ@430mA,4.5V
功率(Pd)530mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)622pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)59pF@16V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
DMG1023UVQ-7 产品概述
一、产品基本信息
DMG1023UVQ-7是一款由美台(DIODES)公司制造的绝缘栅场效应管（MOSFET），具体类型为双P沟道FET。这款器件采用SOT-563封装，具有出色的性能，适合多种应用场景，尤其是在需要低功耗和高效能的电子设备中。此器件的工作温度范围为-55°C到150°C，适应性强，能够在极端环境下稳定运行。
二、核心参数
- FET类型：双P沟道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流 - 连续漏极（Id）：1.03A
- 最大导通电阻：750毫欧 @ 430mA，4.5V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值1V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值622pC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）：最大值59pF @ 16V
- 功率 - 最大值：530mW
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 封装类型：SOT-563、SOT-666
三、优势与应用
DMG1023UVQ-7的设计和参数使其适用于多种电子应用，以下是其主要优点与应用场景：
低功耗特性：由于其最大导通电阻仅为750毫欧，在低电流（430mA）下依然能够实现优异的性能，因此该器件在需要节能的设计中具有独特优势。这使得它在移动设备、便携式电子产品及其他电池供电的设备中广泛应用。
高温工作能力：其工作温度范围能够达到了-55°C至150°C，适合在极端气候条件下进行应用。如汽车电子、工业控制及航空航天领域。
低阈值电压：该器件的阈值电压（Vgs(th)）最低可低至1V，确保能够在较低信号电平下工作，适合于低电压系统。
小型化封装：SOT-563封装设计使得该器件在电路板上占用空间极小，适合于高密度电子设备设计，如智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品。
稳定的动态特性：该FET在动态操作中也表现出良好的特性，高输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg）在一定程度上能够确保稳定的开关性能，适用于开关电源及其他需频繁切换状态的应用。
四、总结
DMG1023UVQ-7是美台公司推出的一款集成了多种优越性能的双P沟道绝缘栅场效应管。其用料考究、设计合理，能够在极端条件下稳定工作，且在低功耗应用上表现突出。无论是在工业、消费电子还是某些特定的军事和航空应用中，这款MOSFET都能够提供有效的解决方案。选择DMG1023UVQ-7，能够为您的电子设计带来更高的效率和可靠性。