SIHD2N80E-GE3 是一款由知名品牌 VISHAY(威世)生产的高性能 N通道 MOSFET,具有高达800V的漏源电压(Vdss)和额定连续漏极电流为2.8A,采用D-PAK(TO-252AA)封装,适合多种应用场景,包括电源管理、开关电源、逆变器以及驱动电路等。
SIHD2N80E-GE3 的设计充分考虑了高电压及高功率应用的需求。其800V的漏源电压使其在各种高压电源设计中表现出色,适用于变换器、电机驱动和高频开关电源等应用。
该MOSFET在导通状态下具有相对较低的导通电阻(Rds On),为系统提供更高的效率,降低功耗。这对于需要长时间运行的电源管理系统尤为重要,因为较低的导通电阻能够减少发热,延长设备的使用寿命。
此外,SIHD2N80E-GE3 的栅极电荷(Qg)为19.6nC,表明其在快速开关应用中具备良好的动态性能。栅极电压可承受的±30V范围也为设计提供了更大的灵活性,便于与其他元件集成。
功率耗散的最大值为62.5W,这在设计中通常需考虑合适的散热解决方案,以确保器件在温度范围内正常工作。广泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)使得该MOSFET能够在极端环境下稳定工作,适用于航天、军事及工业控制等需要高可靠性的领域。
封装方面,D-PAK(TO-252AA)的尺寸紧凑,方便表面贴装,适合现代电子设备的小型化需求。同时,该封装的散热性能优越,能够有效管理大功率情况下的热量。
VISHAY 的 SIHD2N80E-GE3 N通道 MOSFET 是一款高性能的场效应管,具有高电压和高电流能力,适用于多种高效能的电源和开关应用。其优越的电气特性及极好的散热能力使其成为电源管理、开关电源与电机驱动应用中的理想选择,为工程师在设计时提供了更多的灵活性和保障。通过合理的设计与应用,该MOSFET能够显著提升设备的整体效能与可靠性,助力各类创新产品的开发。