型号：
BSC054N04NSGATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TDSON-8
批次：-
包装：编带
重量：0.267g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) BSC054N04NSGATMA1 TDSON-8
库存数量
库存：
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最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.54
100+
3.79
1250+
3.5
2500+
3.33
5000+
3.21
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)17A（Ta），81A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 27µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）34nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2800pF @ 20V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），57W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8-5
封装/外壳8-PowerTDFN
BSC054N04NSGATMA1 产品概述
基本介绍
BSC054N04NSGATMA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET 由知名半导体制造商 Infineon（英飞凌）生产。该器件专为各种高效能和高可靠性的电子应用而设计，特别适用于电源管理、开关电源、以及电机驱动等领域。BSC054N04NSGATMA1 采用先进的金属氧化物技术，具有优异的电气性能和热性能。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压为 40V，适合用于中等电压的应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，该器件的连续漏极电流可达 17A，而在更高的散热条件下（Tc），其连续漏极电流可以达到 81A，这显示出其优异的热管理能力。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的驱动电压下，器件的导通电阻最大值为 5.4 毫欧，代表了在大电流下的低功耗特性，使之在开关电源等应用中非常高效。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的最大阈值电压为 4V（@ 27µA），使其在低栅极驱动电压下也能有效开关。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，最大栅极电荷为 34nC，表明快速开关能力，非常适合高频率操作。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 2800pF（@ 20V），对于高速开关电路具有积极影响。
功率和热性能
BSC054N04NSGATMA1 的功率耗散能力强，最大功耗为 2.5W（在环境温度 Ta 下），而在更好的散热条件下，其最大功耗可以达到 57W（在 Tc 下）。这使得该器件在高负荷条件下依然能够保持稳定运行，且不易过热。
工作环境条件
该 MOSFET 的工作温度范围极广，从 -55°C 到 150°C，适用于严苛环境条件下的应用。其可靠性和耐环境能力使其能够在工业、汽车及航天等应用场景中得到广泛应用。
安装与封装
BSC054N04NSGATMA1 采用表面贴装型封装，封装形式为 PG-TDSON-8-5 的 PowerTDFN 封装，体积小巧，有利于减少电路板空间占用，更易于实现高密度设计。该器件的封装设计还考虑到了散热性能，确保在高功率应用中保持良好的热管理。
应用领域
- 开关电源: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，BSC054N04NSGATMA1 是开关电源设计中的理想选择，能够提高系统的效率并降低能量损失。
- 电机驱动: 该MOSFET能够快速切换，适用于电机驱动控制中的高效开关需求，确保电机运行高效且可靠。
- 负载开关: 可用于电池供电设备中的负载开关，能够控制负载的启停，同时有效管理功率。
- 高频应用: 由于较低的栅极电荷和输入电容，在高频应用中能达到更好的性能表现。
总结
综上所述，BSC054N04NSGATMA1 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，具备卓越的导通特性、热性能及可靠性。无论是在开关电源、电机驱动还是其他高功率应用领域，BSC054N04NSGATMA1 都展现出了极大的适用性和优势，是工程师和设计师在选择功率半导体时的重要考虑之一。