型号:

PZT3904T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223-4
批次:24+
包装:编带
重量:0.202g
其他:
-
PZT3904T1G 产品实物图片
PZT3904T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.5W 40V 200mA NPN SOT-223-3
库存数量
库存:
5490
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.01
50+
0.781
1000+
0.72
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@0.1mA,1.0V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

PZT3904T1G 产品概述

一、产品简介

PZT3904T1G是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),由领先的半导体制造商安森美(ON Semiconductor)生产。该器件采用了高频率的设计,适合各种电子电路中的开关及放大应用。PZT3904T1G具有优异的电气性能和温度稳定性,能够在宽广的环境条件下正常工作,使其成为工业、消费电子及汽车电子等领域的理想选择。

二、主要参数

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 封装类型: SOT-223-4
  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 200 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40 V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 300 mV @ 5 mA, 50 mA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小100 @ 10 mA, 1 V
  • 工作频率: 300 MHz
  • 功率最大值: 1.5 W
  • 额定工作温度: -55°C 至 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型

三、性能特点

  1. 高频响应: PZT3904T1G的跃迁频率高达300 MHz,适合各种高频开关应用,如RF放大器和振荡器。

  2. 优秀的电流增益: 最小DC电流增益 (hFE) 为100,这意味着在合理的集电极电流范围内,能够实现较大的输出电流,有效提升放大器的性能。

  3. 低饱和压降: 其在最大工作条件下的饱和压降仅为300 mV,可以有效地降低电路中的功耗,提高整体能效。

  4. 宽工作温度范围: 工作温度范围从-55°C到150°C,确保设备在极端环境下的可靠性。这一特性对军工、航空航天及汽车等领域尤为重要。

  5. 兼容多种装配方式: 作为一种表面贴装型器件,PZT3904T1G易于自动化生产,适合现代电子产品的快速和高效组装。

  6. 紧凑封装: SOT-223封装的设计不仅有助于减小电路板的占用面积,同时也优化了热性能,使得该器件能够承受较高的功率负载。

四、应用领域

PZT3904T1G广泛应用于以下几个领域:

  • 消费电子: 用于音频放大器、开关电源和小型电机控制等。
  • 工业控制: 可用于传感器接口、信号调理和驱动电路。
  • 汽车电子: 适于用于汽车传感器、控制模块及照明系统。
  • 通讯设备: 用于信号放大和条件调理,增强信号的质量与稳定性。

五、设计考虑

在使用PZT3904T1G进行设计时,需要注意以下几点:

  • 确保工作电压在器件能承受的最大值之下,以避免损坏。
  • 由于集电极的最大电流为200 mA,应用设计应确保电流在此限制之内。
  • 缺少有效的散热举措可能导致器件工作不稳定,必要时可使用散热片增强散热能力。

六、总结

PZT3904T1G是一款性能卓越且可靠的NPN型晶体管,其出色的电气参数和宽广的工作特性使其成为多种应用场合的理想选择。在设计和选择电子元器件时,PZT3904T1G绝对值得考虑,以满足现代电子设备对高效、低功耗且高频率操作的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,它都能提供稳定的性能和可靠的操作。