型号:

DTC024EEBTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3F(SOT-416FL)
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
DTC024EEBTL 产品实物图片
DTC024EEBTL 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置 SOT-416FL
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.574
200+
0.191
1500+
0.12
3000+
0.095
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)150mV@5mA,0.5mA
输入电阻22kΩ
电阻比率1
工作温度-40℃~+150℃

DTC024EEBTL 产品概述

一、产品简介

DTC024EEBTL 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的高性能 NPN 型数字晶体管,具有预偏压功能,专门设计用于要求较高开关速度和高频操作的电子应用。该产品采用 SOT-416FL 封装(EMT3F),是一种表面贴装型封装,使其在空间受限的电路板设计中能够有效地节省空间并简化元器件的布局。

二、性能特点

  1. 电流和电压规格

    • DTC024EEBTL 的集电极电流 (Ic) 最大值为 30mA,适合用于低功率电子设备。
    • 最大集射极击穿电压 (Vce) 可达到 50V,使其适用于各种中等电压的应用场景,确保了电路的安全性和稳定性。
  2. 增益表现

    • 在不同的电流条件下,该产品的直流电流增益 (hFE) 最小值为 60,特别是在 5mA 的基极电流和 10V 的集电极-发射极电压 (Vce) 下,表现尤为出色。
    • 这种高增益特性使得 DTC024EEBTL 可以在较低的输入驱动条件下,驱动较高的输出电流,适合用于开关和信号放大的应用。
  3. 饱和压降

    • DTC024EEBTL 在 500µA 的基极电流和 5mA 集电极电流下,具有最大饱和压降为 150mV 的特性。这意味着在实际工作条件下,晶体管的开关效率较高,能够有效降低功耗。
  4. 频率响应

    • 此款数字晶体管的跃迁频率高达 250MHz,适合用于高频沟通和数据传输的场合,能够支持高速度的开关操作,满足现代电子器件对速度日益增长的需求。
  5. 功率和耐热性

    • 最大功耗 (Pd) 为 150mW,表明该器件在合理的工作条件下能够稳定运行,并适用于小型电路中的功率控制与管理。
  6. 封装与安装

    • DTC024EEBTL 采用表面贴装型封装,优越的EMT3F(SOT-416FL)设计使其在自动化生产线上容易进行批量生产,且在安装在电路板时可节省空间,这对于复杂电路设计尤为重要。

三、应用领域

DTC024EEBTL 广泛应用于以下领域:

  1. 消费电子:在电视、音响系统和手持设备中,广泛用于开关和信号放大的功能。
  2. 办公设备:用于多功能打印机、复印机及其他办公自动化产品,提升其工作效率和响应速度。
  3. 工业控制:在工业设备中,作为开关元件控制电源或负载状态。
  4. 通信设备:在无线通讯设备和网络交换机中,作为信号放大和调制解调过程中的关键元件。

四、总结

DTC024EEBTL 作为一款高性能的 NPN 数字晶体管,凭借其优越的电气性能和小巧的封装设计,适合用于广泛的电子应用。其高频特性、低饱和压降以及高增益的开关能力,使其能满足现代电子设备对快速、低功耗设计的需求。无论是在消费电子、办公设备还是工业控制领域,DTC024EEBTL 都是一款值得推荐的优质元件。ROHM 公司作为知名的半导体制造商,保证了该器件的可靠性和稳定性,为用户提供了高质量的电子解决方案。