NTR2101PT1G

NTR2101PT1G 产品概述

一、基本信息

NTR2101PT1G 是由 ON Semiconductor（安森美）公司生产的一款 P 通道 MOSFET，其具有优良的性能特征，适合各种电子应用场景。该MOSFET采用 SOT-23-3 封装，设计用于表面贴装，便于在现代小型化电路板中的应用。

二、技术规格

• 制造商: ON Semiconductor
• 零件状态: 有源
• FET 类型: P 通道 MOSFET
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 漏源电压（Vdss）: 8V
• 连续漏极电流（Id）: 3.7A ＠ 25°C
• 功率耗散: 960mW ＠ 25°C
• 栅极电压（Vgs）最大值: ±8V
• 导通电阻（Rds On）: 最大 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 栅阈值电压（Vgs(th)）最大值: 1V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）最大值: 15nC @ 4.5V
• 输入电容（Ciss）最大值: 1173pF @ 4V

三、关键性能

该 MOSFET 在低栅极电压下展现出良好的导通特性，使其在低功耗应用中具备了显著的优势。其导通电阻在 3.5A、4.5V 条件下最大为 52 毫欧，能够有效减小功耗和发热，提高电路效率。同时，其连续漏极电流可达到 3.7A，使得该器件适用于多种实际应用。

四、应用场景

NTR2101PT1G 的设计使其非常适合用于电源开关、负载驱动、电机控制以及其它需要高效开关的电子电路。它在便携式设备、电动车辆、家电和工业控制系统中均能发挥重要作用。由于其低导通电阻和快响应时间，NTR2101PT1G 可以帮助设计师优化功耗和提高电路的整体性能。

五、封装与安装

NTR2101PT1G 使用 SOT-23-3 封装，这种小型化的表面贴装类型极其适合现今对空间的苛刻要求。它的紧凑型设计，能够有效地节省电路板空间，并且在贴装时提供良好的机械强度和电气性能。

六、总结

作为一款高效能的 P 通道 MOSFET，NTR2101PT1G 在小型化、低功耗和高效能领域具有广泛的应用前景。无论是在消费电子还是在工业电源管理系统中，其卓越的性能和可靠性都使其成为了电子工程师们的优选器件。凭借 ON Semiconductor 的高品质和强大的技术支持，NTR2101PT1G 定将为各种设计带来新的可能和创新。