描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 150V 2.2A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
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5.05
3000+
4.86
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)3.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@10V,3.4A
功率(Pd)3.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
SI7818DN-T1-GE3 产品概述
产品概述
SI7818DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名电子元件供应商威世（VISHAY）制造。该器件采用先进的 PowerPAK® 1212-8 表面贴装型封装设计，提供了出色的散热性能和空间利用率，非常适合于高密度电子设备中使用。
关键参数
漏源电压 (Vdss)：150V
- 该 MOSFET 的漏极到源极的耐压能力高达 150V，使其能够处理多种工作条件，适用于高压应用，如开关电源和电机驱动。
连续漏极电流 (Id)：2.2A (在 25°C 环境下)
- 此参数表示在典型温度下，MOSFET能够安全通过的电流值，能够满足大部分中等电流应用的需求。
驱动电压：
- 最大 Rds On 电压为 6V 时，最小 Rds On 电压为 10V。这为用户提供了灵活的驱动方案，使其在不同的电路条件下都能获得最佳性能。
导通电阻 (Rds(on))：
- 在 10V 驱动下，Id 为 3.4A 时，其最大导通电阻仅为 135 毫欧。这一低导通电阻特性降低了功耗和热量，提高了电路的整体效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：
- 最大值为 4V @ 250µA，确保该器件能够在低电压下正常开启，对于低压驱动的应用表现优秀。
栅极电荷 (Qg)：
- 当 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 30nC，低栅极电荷特性使得驱动电路要求更低，从而在高频开关应用中表现出色。
工作条件与散热
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，保证其在极端环境下的稳定性与可靠性。其最大功率耗散为 1.5W，这意味着在合适的散热条件下，能够有效控制器件的温升，延长器件的使用寿命。
应用领域
SI7818DN-T1-GE3 的设计适用于广泛的应用场合，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动
- 电源管理
- 照明控制
- 逆变器
- 负载开关
由于其兼具高压与高效能的特点，使得该器件也非常适合于用于电动车、可再生能源装置及消费类电子产品等领域。
封装与安装
该器件采用的 PowerPAK® 1212-8 封装形式，具有较小的占地面积和优秀的散热能力，这使得其能够在需要节省空间的电路设计中成为理想选择。同时，该封装的表面贴装结构便于自动化生产，提高了装配效率。
总结
SI7818DN-T1-GE3 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，具有优良的电气特性与广泛的应用适应性，适合用于高压和中等电流的电子设备。它的低导通电阻、较高的工作温度范围和出色的封装设计，确保了其在现代电子设计中不可或缺的地位。无论是在工业、电源管理还是消费电子领域，SI7818DN-T1-GE3 都是理想的选择，为客户提供了可靠性与高效能的优质表现。