型号:

MJD32CT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-252-3
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
MJD32CT4 产品实物图片
MJD32CT4 一小时发货
描述:三极管(BJT) 15W 100V 3A PNP DPAK
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.6
100+
1.23
1250+
1.07
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)15W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)25@3A,4V
集电极截止电流(Icbo)50uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1.2V@3A,375mA
工作温度-65℃~+150℃

MJD32CT4 产品概述

MJD32CT4 是一款高性能的 PNP型双极性晶体管(BJT),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件在多种电子应用中广泛使用,尤其适用于需要中等功率增益和高电流驱动的场合。下面将详细介绍其主要技术参数、应用场景及特点。

主要技术参数

  1. 晶体管类型: MJD32CT4 为 PNP 型晶体管,这意味着其主要用于负极(低电平)信号处理和控制电流。

  2. 电流 - 集电极 (Ic): 最大集电极电流为 3A,这使得该晶体管能够承受相对较大的电流,适合在需要处理高功率的应用中使用。

  3. 电压 - 集射极击穿(最大值): 该器件的最大集射极击穿电压为 100V,表明在正常操作下,MJD32CT4 可在较高的电压环境中稳定工作。

  4. 饱和压降 (Vce): 对于不同的集电极电流 (Ic),其 Vce 饱和压降最大值为 1.2V,在 375mA 和 3A 这两个电流下表现良好。这一特性对于电源转换和线性放大应用特别重要,因为它影响到效率和发热量。

  5. 集电极截止电流: 最大截止电流为 50µA,这意味着在关闭状态时,器件几乎不漏电,提升了电路的整体稳定性。

  6. 直流电流增益 (hFE): 在 3A 和 4V 的条件下,最小直流电流增益为 10。这意味着即使在大电流下,MJD32CT4 仍能保持较好的放大能力,适合于高增益驱动应用。

  7. 功率 - 最大值: 它的最大功率额定值为 15W,允许在高功率密度应用中使用,而不会轻易达到其热极限。

  8. 工作温度: MJD32CT4 可在高达 150°C 的环境温度下工作,适合于高温环境下的应用。

  9. 封装类型: 该晶体管采用 DPAK(TO-252-3)封装,设计为表面贴装型,这种封装的优势在于占用空间小、散热良好,适合现代电子设备的紧凑设计需求。

应用场景

MJD32CT4 可以广泛应用于各类对电流和功率有较高要求的电路中,例如:

  • 线性放大器: 能够处理较大的信号功率并保持良好的线性特性。

  • 开关电源: 适合用作电源开关和转换器的驱动组件。

  • 马达驱动: 适用于小型电机的控制,帮助提高马达的开启和关闭效率。

  • 音频放大器: 在音频应用中,能够提供必要的增益,同时保持低失真的信号输出。

  • 功率分配: 适合用于功率分配电路,确保各个分支能够接收稳定的电流.

结论

MJD32CT4 是一款功能强大且性能优秀的 PNP 型晶体管,凭借其高电流和电压额定值、可接受的饱和压降以及优异的散热特性,使其成为多种电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子领域,MJD32CT4 都展现出了良好的适应性和可靠性,能够满足现代电子产品越来越高的性能需求。选择 MJD32CT4,能够为您的设计带来更大的灵活性和稳定性。