STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP 产品概述

概述

STQ1NK80ZR-AP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要应用于高电压和高频率的电子电路中。凭借其优异的性能参数和广泛的工作温度范围，该 MOSFET 在工业应用、开关电源、逆变器及其他要求高效能和可靠性的场合，均可提供出色的解决方案。

主要参数

• 类型：N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：最高可承受 800V，适合高压应用
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达到 300mA，对于常用的电路设计提供了充足的电流能力
• 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 16Ω @ 500mA，确保低功耗特性
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4.5V @ 50µA，适合广泛的驱动电平
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动条件下，栅极电荷最大值为 7.7nC，允许快速开关操作
• 输入电容（Ciss）：在 25V 下，最大输入电容为 160pF，确保信号的快速传输
• 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为 3W（Tc），适合高功率应用
• 工作温度范围：从 -55°C 到 150°C，适用各种环境条件
• 封装类型：TO-92-3，提供通孔安装方式

性能特点

STQ1NK80ZR-AP 的设计优化了漏极电流和导通电阻，使其能够在高电压情况下有效地控制电流流。其较高的 Vdss 值，使得该器件可以用于高压电源转换和电机控制等重要场合。MOSFET 的高开关速度，得益于其较低的栅极电荷和输入电容，能够大幅提升电路的功率转换效率。

此外，该 MOSFET 的宽工作温度范围使其可在极端环境下稳定工作，是工业和汽车等应用的重要选择。例如，在电源管理和逆变器电路中，该 MOSFET 能够以更好的效率和稳定性操作，确保系统的安全和可靠。

应用领域

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器，能够提高能量转换效率。
2. 电机驱动：在电机驱动和控制电路中，提供稳定的高电压输出与控制能力，适合用于变频器、位置控制等应用。
3. 逆变器：特别是在光伏逆变器和UPS系统中，要处理高电压能量转换时，STQ1NK80ZR-AP 提供了必要的电气参数和性能。
4. 汽车电子：由于其高耐温性，可以在汽车电气系统中应用，如电动助力转向、电子稳定程序等。

封装与安装

STQ1NK80ZR-AP 采用 TO-92-3 封装，支持通孔安装方式。这种封装形式便于散热并且适合各种印刷电路板（PCB）设计，能够满足不同端口的布线需求。

总结

STQ1NK80ZR-AP 是一款强大且高效的 N 通道 MOSFET，具备表现优秀的电气特性和适用范围广泛的优点。无论在工业应用、能源管理，还是汽车电子领域，该产品都能够提供可靠的性能和高效的解决方案。未来，随着电子技术的进步，STQ1NK80ZR-AP 将会被更加广泛地应用，以满足不断增长的电力需求和系统集成的挑战。