型号:

PMZ350UPEYL

品牌:Nexperia(安世)
封装:DFN-1006-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.009g
其他:
PMZ350UPEYL 产品实物图片
PMZ350UPEYL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 20V 1A 1个P沟道 X1-DFN1006-3
库存数量
库存:
8580
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.156
10000+
0.141
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)450mΩ@4.5V,0.3A
功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)127pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

PMZ350UPEYL 产品概述

一、产品简介

PMZ350UPEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),其采用先进的金属氧化物技术,专为中低功率电子元件的应用而设计。该器件在-55°C到150°C的广泛工作温度范围内运行,具备优良的热稳定性和可靠性。PMZ350UPEYL 的独特设计和规格使其成为各种电子电路中的理想选择,特别是在需要高效能和紧凑布局的应用场景中。

二、主要规格

  1. 型式与封装:PMZ350UPEYL 使用 DFN1006-3 封装,具有小型化和表面贴装的特性,特别适合现代电子设备对空间的严格要求。其封装符合 SC-101 和 SOT-883 标准,确保良好的焊接性能和散热效果。

  2. 电气参数

    • 漏源电压(Vdss):最高可达20V,适合低压应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,最大可承载1A电流。
    • 栅源电压(Vgs):最大承受电压为±8V,为电路设计提供更大的灵活性。
    • 最大导通电阻(Rds On):在4.5V 驱动电压和300mA的漏极电流下,最大导通电阻为450毫欧,确保高效能的电流传输。
  3. 开关特性

    • 导通阈值电压(Vgs(th)):在250μA的偏置下,最大阈值电压为950mV,适应较低电平的开关信号。
    • 栅极电荷(Qg):在4.5V驱动下,Qg 最大为1.9nC,有助于提升开关速度,降低功耗。
    • 输入电容(Ciss):在10V条件下,输入电容最大值为127pF,能够有效降低驱动功耗,提高电路的整体效率。
  4. 功率与散热

    • 功率耗散:器件最大功率耗散能力为360mW(在环境温度)和3.125W(在结温),使其能在不同的工作环境下稳定运行。
  5. 温度与可靠性:PMZ350UPEYL 在-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内具备优越的性能,能够适应各种严苛的工作环境,确保稳定性和可靠性。

三、应用场景

PMZ350UPEYL 由于其独特的技术特点,广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于电源开关、负载开关及电池管理系统,提升能效。
  • 消费者电子:适用于手机、平板、家用电器及消费类电子产品中的保护和控制电路。
  • 通信设备:在基站和交流设备中,作为开关和控制器,保证高效的数据传输。
  • 汽车电子:在车辆电子控制单元中提供高效的电流管理和保护。

四、总结

PMZ350UPEYL 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性、出色的热稳定性和紧凑的封装设计,使其在现代电子设计中具有极高的实用价值。无论是在低压电源管理、消费者电子还是通信设备中,PMZ350UPEYL 都可以为设计师提供可靠的解决方案,从而推动产品的性能提升和市场竞争力的增强。选择 PMZ350UPEYL,将是您电子设备设计中的明智选择。