BC847CDW1T1G

产品概述：BC847CDW1T1G NPN晶体管

一、基本信息

BC847CDW1T1G是一款出色的NPN双极性晶体管，专为广泛的电子应用设计，具有高性能和可靠性。该元器件由安森美（ON Semiconductor）制造，符合严格的工业标准，适用于诸多电子设备的电流放大和开关应用。

二、主要参数特性

1. 晶体管类型: NPN（负温度系数），适合用于低噪声及高增益应用。
2. 最大集电极电流 (Ic): 100mA，允许的最大电流可处理相对较大的负载，非常适合于驱动小型电机和灯光等。
3. 集射极击穿电压 (Vce): 45V，这一较高的电压范围使得它可以在多种电源电压下工作，同时提供良好的电流稳定性和安全性。
4. 饱和压降（Vce(sat)）: 最多600mV，保证了在不同工作状态下的能效。
5. 截止电流 (ICBO): 15nA，具备优异的低漏电流性能，适合于低功耗电路。
6. 电流增益 (hFE): 在2mA和5V的条件下，最小值为420，表明其在小信号下依然能够提供良好的增益，为射频和开关电路设计提供可靠支持。
7. 最大功率耗散: 380mW，允许在较高功率下工作，而不至于导致过热。
8. 跃迁频率: 最高可达100MHz，适合用于高频应用，确保良好的信号完整性。

三、工作温度与封装

• 工作温度范围: -55°C到150°C，适合于恶劣环境或需要高温工作的应用。
• 封装类型: SOT-363，也称为SC-88，表面贴装设计便于自动化装配和提高空间利用效率。

四、应用场景

BC847CDW1T1G被广泛应用于：

• 音频放大器电路: 利用其优异的增益特性来增强音频信号。
• 开关电路: 可作为开关元件用于控制灯、马达等负载。
• 信号处理电路: 在高频应用中表现良好的特性使其适合用于无线电和通信设备。
• 传感器接口电路: 其低功耗的特性非常适合与各类传感器之间的信号连接。

五、产品优势

• 高性能: 该产品的高电流增益和高频率响应使其在各种复杂电子电路中表现出色，特别是在信号放大和转换过程中。
• 低功耗和高效性: 低截止电流和饱和压降意味着更少的能源浪费，适合于绿色能源和环保设计。
• 可靠性: 在极限温度范围和优秀的集电极截止电流特性使产品适用于多种恶劣环境，保障长久稳定的工作。

六、总结

BC847CDW1T1G是一款功能强大、适用广泛的NPN晶体管，凭借其高增益、低功耗和耐高温的特性，已经成为电子工程师及设计师首选的元器件之一。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中，BC847CDW1T1G都能提供出色的性能。选择这款元器件，将为您的设计带来可靠性与效率，助力产品成功。