型号:

2SA1162-Y,LF

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SOT-23
批次:21+
包装:编带
重量:0.034g
其他:
2SA1162-Y,LF 产品实物图片
2SA1162-Y,LF 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 50V 150mA PNP SOT-23
库存数量
库存:
19
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.334
200+
0.216
1500+
0.188
3000+
0.166
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)70@2mA,6V
特征频率(fT)80MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)100mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+125℃

产品概述:2SA1162-Y, LF

引言

2SA1162-Y, LF 是一款由东芝半导体和存储公司制造的高性能PNP型双极性晶体管(BJT)。该器件在现代电子设计中具有广泛的应用场景,尤其是在音频放大器、信号放大器和其他线性应用中,其出色的电气性能和高可靠性使得其成为理想的选择。

基本特性

  • 制造商: 东芝半导体和存储
  • 包装类型: 卷带(TR),适用于自动贴片工艺,方便生产线使用
  • 晶体管类型: PNP,非常适合于电流源和负载驱动电路
  • 功率: 最大功率为150mW,允许其在较低功率的应用中高效工作
  • 电压与电流额定: 集射极击穿电压(Vceo)为50V,集电极电流最大值(Ic)为150mA,确保了器件在高压及高电流环境下的稳定性能

电气性能

  1. 饱和压降 (Vce(sat)): 在10mA和100mA的集电极电流条件下,Vce饱和压降(最大值)为0.3V。这一低饱和压降有助于提高电路的整体效率,降低功耗。

  2. 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为100µA,表明该器件在非导通状态下的漏电流非常小,有助于提升系统的稳定性和效率。

  3. 直流电流增益 (hFE): 在2mA,6V时的最小直流电流增益为120。高hFE值意味着该晶体管在小信号条件下的放大能力强,适合用于增益较高的应用。

  4. 频率响应: 该器件的跃迁频率为80MHz,能够支持高速信号处理,这使其适合用于高频开关应用和射频电路。

工作环境

  • 工作温度范围: 最高工作温度为125°C,适合在极端环境下运行,能够满足工业和汽车等领域的严苛要求。

  • 安装类型: 采用表面贴装型(SMD),其紧凑的封装形式(TO-236-3,SC-59,SOT-23)可以减少电路板空间占用,非常适合现代电子产品的小型化设计。

  • 封装类型: S-Mini封装,增强了元件在电路板上的稳定性,易于实现高密度的集成。

应用场景

2SA1162-Y, LF 的特性使其在多个领域表现出色,具体包括:

  1. 音频放大: 由于其高增益和低失真的特性,适合用于音频信号的放大。

  2. 开关应用: 其快速响应时间和低饱和压降使得2SA1162-Y, LF能够很好地用作电子开关,在电源管理和调制解调器电路中很受欢迎。

  3. 线性放大器: 由于其较低的集电极截止电流及高hFE,能够作为线性放大器中的信号放大元件。

  4. 继电器驱动: 在继电器驱动电路中应用,由于具有较高的集电极电流能力,可以有效控制中等负载。

  5. 信号转发: 在通信设备中可以用作信号转发的关键元件,其频率响应能力使得其在数据传输中非常重要。

总结

综合来看,2SA1162-Y, LF 不仅在性能上表现突出,其适应性和多功能性也使其成为电子设计工程师在选择PNP晶体管时的理想之选。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,2SA1162-Y, LF 都能提供可靠和高效的解决方案,推动现代电子技术的发展。