描述：场效应管(MOSFET) 18.7W 100V 7.5A 1个N沟道 TO-252(D-Pak)
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1250+
0.81
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@10V,2A
功率(Pd)18.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.7nC
输入电容(Ciss@Vds)384pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
DMN10H220LK3-13 产品概述
一、基本信息
DMN10H220LK3-13 是由 DIODES（美台）公司生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物场效应管），专为需要高频开关和高效能的电子电路设计而开发。该MOSFET采用TO-252表面贴装封装，具备卓越的驱动能力和热处理性能，广泛应用于各种电源管理、逆变器、负载开关、LED驱动和其他信号处理电路中。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss): 100V
- 该MOSFET可以承受高达100V的漏源电压，适合用于中高压应用场合，提供良好的安全裕度。
连续漏极电流 (Id): 7.5A（Tc = 25°C）
- 在25°C的工作环境下，该器件的最大连续漏极电流可达7.5A，适合用于高电流应用场合。
导通电阻 (Rds(on)): 最大值220毫欧 @ 2A，10V
- 在10V的栅极驱动电压下，器件展现出极低的导通电阻，这意味着在工作时能极大减小功耗，提高整体系统效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值2.5V @ 250µA
- 该MOSFET具有较低的栅极阈值电压，意味着能在较低的栅极电压下实现开关，增强了其在低电压条件下的开关性能。
栅极电荷 (Qg): 最大值6.7nC @ 10V
- 低的栅极电荷有利于高频率下的快速开关，减小开关损耗，提高效率。
输入电容 (Ciss): 最大值384pF @ 25V
- 该MOSFET的输入电容相对较小，有助于快速开关信号的实现，适合高频应用。
功率耗散 (Pd): 最大值18.7W（Tc）
- 此特性提供了良好的热管理潜力，使其在较高功率负载下也能稳定工作。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 广泛的工作温度范围使其适应于严酷的环境，提高设计的灵活性和系统的可靠性。
三、封装与安装
DMN10H220LK3-13 采用TO-252（D-Pak）封装，此种表面贴装型封装不仅在空间利用上具有优势，同时其散热能力也很强，适合高功率应用。该封装形式便于自动化焊接工艺，提高生产效率。
四、应用领域
DMN10H220LK3-13 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在开关电源和DC-DC转换器中，作为开关元件提高效率。
- 电动汽车: 适用于电动和混合动力汽车中的电机驱动和功率转换系统。
- LED驱动: 在LED灯具中提供可靠的驱动解决方案，同时优化功率消耗。
- 负载开关: 在各种负载管理和控制电路中，作为高效的开关元件。
五、总结
DMN10H220LK3-13 N沟道MOSFET以其优秀的电气参数、宽广的工作温度范围和良好的热管理性能，成为现代电源管理和开关电路中的理想选择。品牌DIODES（美台）的保证更是让其在实际应用中能够得到充分信赖，助力工程师在设计中实现高效、稳定的电源解决方案。无论是工业应用、消费电子还是汽车电子，该器件都展现出极高的适应性和性价比，无疑是提升系统性能和效率的有力助手。