DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 产品概述

一、基本信息

DMN10H170SFG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，具备卓越的电流处理能力和功率损耗特性，适用于各种电子设备的开关和放大应用。这款器件采用 PowerDI-3333-8 表面贴装型封装，具有紧凑的尺寸和出色的热管理性能，非常适合现代电子产品的需求。

二、技术参数

1. 电流能力：

   • 连续漏极电流（Id）：在环境温度（Ta）为 25°C 时，Id 为 2.9A；在结温（Tc）为 25°C 时，Id 可达到 8.5A，表明该 MOSFET 能够支持高负荷工作。

2. 导通电阻（Rds(on)）：

   • 不同 Id 和 Vgs 下的最大导通电阻为 122 毫欧 @ 3.3A、10V，为器件在开关状态下提供了优异的导通性能，大大减小了能量损耗，提高了效率。

3. 栅极驱动电压（Vgs）：

   • 该 MOSFET 的最佳驱动电压为 4.5V 和 10V，适合多种不同的驱动电路设计，且栅极最大电压可达到 ±20V，提供更高的设计灵活性。

4. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 在 250µA 的漏电流下，Vgs(th) 的最大值为 3V，这意味着适应性广泛，使器件可在较低的栅极电压下有效导通。

5. 功率耗散：

   • 最大功率耗散为 940mW（Ta），在高温环境下依旧表现优良，确保了设备在高负载和高温条件下的稳定性。

6. 工作温度：

   • DMN10H170SFG-7 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，可适用于极端普遍的工业和消费类应用。

7. 电容量：

   • 输入电容（Ciss）最大值为 870.7pF @ 25V，栅极电荷（Qg）最大值为 14.9nC @ 10V，这些参数表明该器件在高频操作下的表现良好。

三、应用场景

DMN10H170SFG-7 广泛应用于以下几个领域：

1. 电源管理：

   • 在电源转换电路中，MOSFET 的快速开关能力和低导通电阻极大地提高了电源效率，减少了热量产生，适用于 DC-DC 转换器和电源适配器。

2. 电机控制：

   • 该器件可用于电机驱动电路中，保证电机在启动、停止及调速过程中的快速响应，以及高效的电流传输。

3. 自动化设备：

   • 在自动化行业中，MOSFET 可用于控制各类传感器、执行器和相应的控制电路，提高整体系统的可靠性和响应速度。

4. 消费类电子产品：

   • 例如，家庭电器、智能手机及计算机设备等中均可见其身影，用于电源开关、状态指示和防护电路等。

四、总结

DMN10H170SFG-7 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性，成为工程师和设计师在电子产品设计中的理想选择。其出色的导通电阻和开关能力，结合强大的功率处理能力，确保了在严苛环境下的稳定运行，将为各种应用提供重要支持。