DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13 产品概述

产品简介

DMN2400UFDQ-13 是由美台半导体（DIODES）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（绝缘栅场效应管），采用先进的 U-DFN1212-3 封装技术。该设备适合广泛的应用场景，特别是在空间受限的情况下，因其表面贴装型设计使PCB布局更加灵活。DMN2400UFDQ-13旨在提供可靠性和高效能，并具有较低的导通电阻，有效减少开关损耗和功耗，从而提高电路的整体效能和稳定性。

技术参数

1. 基本参数：

   • 类型：N 通道 MOSFET
   • 最大漏源电压（Vdss）：20V
   • 额定连续漏极电流（Id）：900mA（在环境温度25°C时）

2. 电气特性：

   • 驱动电压：
     • 最小 Rds On 驱动电压：4.5V
     • 最大 Rds On 驱动电压：1.5V（有效降低了导通损耗，提高了效率）。
   • 导通电阻（Rds(on)）：
     • 最大值：600 毫欧 @ 200mA 和 4.5V，标志着在正常工作条件下的高导电性。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1V @ 250µA，表明开始导通的输入电压较低，便于与微控制器或逻辑电平兼容。
   • 栅极电荷（Qg）：最大值为0.5nC @ 4.5V，意味着在开关操作中所需的驱动功率较小，提升了整体效率。

3. 额外电气参数：

   • 最大栅源电压（Vgs）：±12V，确保设备的兼容性和安全性，防止过电压损害。
   • 输入电容（Ciss）：最大值为37pF @ 16V，显示出在高频操作下的优越性能，适合快速开关应用。
   • 功率耗散：最大值为400mW（在环境温度下），适用于高效率的应用场合。

4. 工作环境：

   • 工作温度范围广：-55°C ~ 150°C（TJ），使其在极端环境条件下仍能稳定工作，适合航空航天、汽车电子及工业设备等领域。

5. 封装与安装：

   • 安装类型：表面贴装型，适应高密度PCB设计。
   • 封装： UDFN12123，具有极小的占板空间，便于实现小巧设计。

应用领域

DMN2400UFDQ-13 适用于众多行业和应用，包括但不限于：

• DC-DC转化器
• 电源管理系统
• 开关电源
• 负载开关
• 驱动电路
• 电动车驱动控制
• 自动化和控制系统

由于其出色的电气性能和广泛的工作温度范围，DMN2400UFDQ-13 在消费电子、工业设备、汽车电子及高性能计算等多个领域都展现出优异的应用潜力。

总结

DMN2400UFDQ-13 以其卓越的电性能、广泛的适用温度范围及空间效率，成为设计师在选择 MOSFET 时的理想选择。无论是在需要高效能的电源管理系统，还是在复杂环境下工作的电子设备中，DMN2400UFDQ-13 都能提供强有力的支持和稳定的性能。选择 DMN2400UFDQ-13，为您的电子设计带来可靠性与创新的双重保障。