型号:

DDA113TU-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:21+
包装:编带
重量:0.015g
其他:
DDA113TU-7-F 产品实物图片
DDA113TU-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.322
200+
0.208
1500+
0.181
3000+
0.16
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1mA,5V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.9V@5mA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

DDA113TU-7-F 产品概述

一、产品简介

DDA113TU-7-F 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能数字晶体管,属于表面贴装型封装,并采用了 SOT-363 封装形式。这种数字晶体管具有预偏置功能,内置两个 PNP 晶体管,非常适合在需要较低电流控制和信号开关的应用场景中使用。其在低功耗驱动、高频开关和信号放大方面表现出色,广泛应用于消费电子、通信设备及其他智能电子产品中。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:DDA113TU-7-F 采用了两个 PNP 预偏压式晶体管设计,这意味着它可以在较低的启动电压下工作,适合用于各种敏感应用。

  2. 集电极电流 (Ic):最大为 100mA,能够支持相对较大的信号电流,为电路提供良好的驱动能力,确保使用时的稳定性和可靠性。

  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大可达 50V,这使得它能够在较高电压环境中工作,减少了在高电压情况下电路损坏的风险。

  4. DC 电流增益 (hFE):在 1mA 和 5V 的条件下,最小值为 100,显示出其较强的增益能力,适用于信号放大。

  5. Vce 饱和压降:在 1mA 和 10mA 时,最大值为 300mV,这一较低的饱和压降有助于提高功率效率,减少功耗,优化整体电路性能。

  6. 跃迁频率:可达 250MHz,表明其具有良好的高频响应,适合用于要求高速开关的应用。

  7. 功率:最大功率为 200mW,这是在合理的工作条件下能够承受的最大功耗,适合低功率电子设备。

  8. 安装类型:表面贴装型设计,使其在集成电路板上的布局更加紧凑,便于现代设备的小型化设计。

  9. 封装规格:采用 SOT-363 封装,符合现代电子产品对空间和散热的严苛要求。

三、应用场合

DDA113TU-7-F 蕴含着丰富的应用潜力,特别是在以下几个方面表现突出:

  • 消费电子:在电视机、便携式音响、智能手机等设备中,该器件可用于音量控制、信号放大,以及与传感器的信号调理等。

  • 通信设备:可被广泛应用于基站、路由器及其他通信工具中,作为信号的开关与放大器,提高信号传输效率。

  • 自动化设备:在自动化和机器人技术中,DDA113TU-7-F 提供的高频性能和低功耗特性,可以有效支持各种控制信号的处理。

四、产品优势

  1. 高效性与可靠性:凭借其较高的电流增益和低饱和压降,DDA113TU-7-F 显著提升了电路的功率效率,减少了电源需求。

  2. 紧凑性:SOT-363 封装设计适应现代电子设备对空间的效率要求,使其更易于集成到复杂的电路中。

  3. 高性能:250MHz 的跃迁频率使 DDA113TU-7-F 在高频信号处理上表现出色,适合于现代高速通讯要求。

  4. 应用广泛:由于其高集电极电流能力和耐高压特性,适用于多个领域的多种电子产品,保证了其在市场上的竞争性。

五、结论

作为一款高性能的数字晶体管,DDA113TU-7-F 充分运用了现代半导体技术的优势,结合了高集电极电流能力、良好的频率响应和低功耗特性。它不仅为设计师在多种应用场合提供了可靠的选择,同时也为电子设备的高效能和长寿命奠定了基础。无论是在消费电子、通信设备还是自动化系统中,DDA113TU-7-F 都将是一款值得信赖的关键元件。