型号：
DZT853-13
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT223
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 100V 6A
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.89
100+
1.46
1250+
1.27
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
零件状态有源
晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）340mV @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁130MHz
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装SOT-223
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）6A
电压 - 集射极击穿（最大值）100V
功率 - 最大值1W
基本产品编号DZT853
DZT853-13 产品概述
概述
DZT853-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管，采用 SOT-223 封装形式，符合表面贴装技术（SMT）。该元器件设计用于高效能和高可靠性的电子应用，适合在多种工作环境下运行，具有出色的电气性能和广泛的适用性。
主要特性
电气性能: DZT853-13 的主要电气特性包括：
- 最大集电极电流 (Ic): 6A，适合于较大电流的驱动应用。
- 集电极-发射极击穿电压 (Vce): 最大 100V，能够有效抵御高电压工作环境的影响。
- 饱和压降 (Vce(sat)): 在 5A 时，最大饱和压降为 340mV，表明其在大电流下仍能保持较低的能耗，这是功率管理设计的关键性能之一。
- 直流电流增益 (hFE): 最小值为 100，尤其在 2A 和 2V 条件下，这一特性使其在多种放大应用中表现优越。
频率性能: DZT853-13 的频率跃迁特性达到 130MHz，可以支持快速开关应用，适合高频率工作环境。对于需要高频响应的电路设计，该晶体管能够提供很好的应用基础。
低功耗特性: 该元器件的集电极截止电流 (ICBO) 最大值为 10nA，这意味着在关断状态时，它的功耗极低，有助于提高电路的整体能效。
温度特性: DZT853-13 的工作温度范围广：从 -55°C 到 150°C，表明其能在极端温度环境中正常工作，极大地提升了元器件的可靠性和稳定性。
封装和安装: DZT853-13 采用 SOT-223 封装，卷带（TR）包装形式方便自动贴装，适合批量生产。其紧凑的尺寸适应了现代电子产品日益小型化的趋势。
应用领域
DZT853-13 晶体管因其优越的性能，应用非常广泛，主要包括但不限于：
- 功率放大器: 可用于音频和高频功率放大电路，提供良好的信号增益。
- 开关电源: 适合用于开关电源中的控制元件，处理大电流和高压的场合。
- 电机驱动: 能够在电机驱动电路中快速开关，提供所需的启动电流。
- 信号放大: 在传感器及数据采集系统中用于信号放大，提升信号传递精度。
- LED 驱动: 由于其较高的电流承载能力，适用于大功率 LED 照明系统。
结论
DZT853-13是一款性能卓越、结构紧凑的NPN晶体管，能够满足现代电子产品对高性能、高可靠性与低能耗的需求。在众多电子应用领域，DZT853-13以其良好的电气性能和广泛的适用性，成为设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制，DZT853-13均能发挥出色其应有的价值，助力产品的提升和优化。