型号:

DMN3016LK3-13

品牌:DIODES(美台)
封装:TO252
批次:23+
包装:编带
重量:0.508g
其他:
DMN3016LK3-13 产品实物图片
DMN3016LK3-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.6W 30V 12.4A 1个N沟道 TO-252-2
库存数量
库存:
3323
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.22
2500+
1.15
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,11A
功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.415nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN3016LK3-13 产品概述

一、产品简介

DMN3016LK3-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为各种电子设备中的开关和放大应用而设计。此器件由知名品牌 DIODES(美台)生产,具有高效、可靠和灵活的特点。其主要参数包括漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)为12.4A,以及优越的导通电阻性能,适用于多个行业的广泛应用场合。

二、主要特性

  1. 电压与电流能力

    • 漏源电压 (Vdss):最高可达30V,适用于多种电源管理和信号传输应用。
    • 额定连续漏极电流 (Id):在25°C 环境温度下可达12.4A,使其能够处理高负载应用。
  2. 导通电阻与功率损耗

    • 在10V Vgs 和11A Id 下,最大发电导通电阻 (Rds(on)) 仅为12毫欧,确保能效高,减少了功率损耗,提升了散热性能。
    • 最大功率耗散为1.6W,在高效散热设计下,能够更好地满足系统要求。
  3. 栅极电压与开关特性

    • 该 MOSFET 在 Vgs 为4.5V 和10V 时可以实现高效驱动,兼容低电压应用。
    • Vgs(th) 最大值为2.3V @ 250µA,确保在较低栅极电压条件下即可快速开启,适合需要快速开关的高频应用。
  4. 电容特性

    • 输入电容 (Ciss) 在15V 时最大为1415pF,有效降低了开关时间,提高了操作速度。
  5. 温度范围

    • 工作温度范围广,从-55°C 到 150°C,适合严酷环境下的应用,如汽车电子、工业控制等领域。
  6. 封装与安装类型

    • 采用 TO-252 封装,符合表面贴装技术 (SMT)要求,便于自动化生产及组装,大幅提升元件的使用效率。

三、应用领域

DMN3016LK3-13 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:适合用于直流-直流转换器、开关电源等场合,以高效控制电源输出和稳压。
  • 电机驱动:可用于控制电机的开启与关闭,支持洗衣机、风扇及其他电机驱动应用。
  • 汽车电子:在汽车电子系统中,可用于电源分配、LED 驱动及负载开关等功能。
  • 工业自动化:应用于工业设备的自动控制及监控系统中,提高系统的响应速度与效率。

四、结论

综上所述,DMN3016LK3-13 N 通道 MOSFET 拥有良好的电气性能和可靠的工作特性,能够满足现代电子产品的多样化和高性能需求。其卓越的导通电阻和宽广的工作温度范围使其成为电源管理、电机驱动及汽车电子等众多应用中的理想选择。无论在严酷的环境条件还是复杂的电路设计中,DMN3016LK3-13 都能提供稳定的性能,帮助设计工程师实现创新的产品解决方案。