型号:

NTA7002NT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-75-3
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
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NTA7002NT1G 产品实物图片
NTA7002NT1G 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300mW 30V 154mA 1个N沟道 SC-75(SOT-416)
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.298
200+
0.192
1500+
0.167
3000+
0.148
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)154mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@4.5V,154mA
功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@100uA
输入电容(Ciss@Vds)20pF@5.0V
反向传输电容(Crss@Vds)6pF
工作温度-55℃~+150℃

NTA7002NT1G 产品概述

一、基本信息

NTA7002NT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),它属于先进的金属氧化物半导体技术。该器件封装采用 SC-75(也称为 SOT-416),是表面贴装型元件,尺寸小巧,适合多个电子设计的应用需求。

二、关键参数

  • 电流能力:在 25°C 环境下,NTA7002NT1G 的连续漏极电流(Id)可达 154mA,表现出较好的电流承载能力,能够满足小功率电路的需求。
  • 漏源电压(Vdss):该 MOSFET 的漏源电压最大值为 30V,使其在低压应用中表现出良好的开关性能。
  • 导通电阻(Rds On):在 4.5V 的门源电压下,导通电阻最大值为 7Ω。这一低导通电阻特性使 NTA7002NT1G 在提高能效和减少功耗方面表现出色。
  • 阈值电压(Vgs(th)):Vgs(th) 最大值为 1.5V,这意味着在相对较低的电压下,MOSFET 就能有效开启,具有良好的驱动特性。
  • 驱动电压:NTA7002NT1G 适应的驱动电压范围为 2.5V 至 4.5V,适合多种逻辑电平接口,方便集成到不同的电子设备中。
  • 功率耗散:该器件的最大功率耗散为 300mW,确保在高温环境下的稳定运行。

三、工作温度范围

NTA7002NT1G 的工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,确保其在极端环境条件下的可靠性。这一特性使得该器件非常适合汽车电子、工业控制及其他可能受到严格温度波动影响的应用场景。

四、应用场景

NTA7002NT1G 由于其卓越的性能参数,广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 便携式电子产品:由于其低导通电阻和适当的驱动电压,NTA7002NT1G 非常适合用于手机、平板电脑和其他移动设备中的电源管理电路。

  2. 电机控制:通常应用于直流电机驱动和其他低功耗电机控制电路中,提供有效的开关控制。

  3. LED 驱动:适合用于 LED 照明驱动电路,通过调节电源的开关状态来实现亮度控制。

  4. 开关电源:NTA7002NT1G 也可以作为开关变换器中的开关元件,尤其在非隔离型转换器中表现优异。

  5. 自动化设备:在工业自动化和控制系统中,可用于传感器的接口与信号放大。

五、设计注意事项

在设计中使用 NTA7002NT1G 时,需要关注以下几个方面:

  • 散热设计:尽管该器件的功率耗散为 300mW,但在高电流和高温环境下,充分的散热措施可以提高其可靠性和寿命。
  • 选择合适的驱动电压:根据具体应用选择合适的门源电压,以确保 MOSFET 在所需通断状态下运行。
  • 电磁兼容性:由于 MOSFET 本身对于电磁干扰比较敏感,设计电路时需采取适当的措施确保其电磁兼容性。

六、结论

总之,NTA7002NT1G 是一款性能优越、用途广泛的 N 通道 MOSFET。它凭借低导通电阻、适应性强的驱动电压、广泛的工作温度范围,适合用于各种小功率电路和高效能设计。这使得 NTA7002NT1G 成为电子设计师和工程师在众多应用中的首选组件之一。通过合理的应用和设计,能够充分发挥其优良性能,为现代电子产品的效率和可靠性提供支持。