STPS3045CG-TR 产品概述

一 产品简介

STPS3045CG-TR 为意法半导体（ST）推出的肖特基势垒整流二极管，采用 D2PAK（TO-263-2）封装，内部为一对共阴极（common cathode）肖特基二极管。该器件以低正向压降和较高浪涌能力为主要特性，适合中功率开关电源、整流与保护应用。

二 主要特点

• 低正向压降：Vf = 0.57 V @ 15 A（大幅降低导通损耗）
• 稳定的整流电流能力：连续整流电流 15 A
• 强的瞬态浪涌能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 220 A
• 适用中低压场合：直流反向耐压 Vr = 45 V
• 低反向漏电：Ir = 200 μA @ 45 V（高温时需关注漏电随温度上升的影响）
• 封装利于散热与贴片组装：D2PAK（TO-263-2）塑封，便于波峰/回流焊接

三 电气参数要点

• 正向压降（Vf）：约 0.57 V 在 15 A 条件下，有助于降低整流与回路导通损耗，提高效率。
• 连续整流电流：15 A，适合中等功率整流与输出筛选。
• 峰值浪涌能力：220 A（非重复），可承受开机、短路或大电流冲击情形的瞬态电流。
• 反向耐压与漏电：Vr = 45 V，反向电流 200 μA@45 V，在高温或高压边界需结合电路容忍度评估。

四 典型应用

• 开关电源的输入整流或输出二次整流
• 电机驱动与电源管理中的回授/自由轮二极管（尤其对效率敏感的场合）
• 车载电子（48 V 以下系统）、逆变器滤波与保护电路
• 低压降反向保护、稳压与续流路径

五 封装与热管理建议

D2PAK（TO-263-2）封装为表面贴装大底板，散热性能依赖 PCB 的铜箔面积与散热孔。建议：

• 在器件下方与焊盘周围使用大面积铜箔并连通多层散热层（VIA 通至内/底层）。
• 评估环境温度与器件结温（Tj），根据功率损耗（Pd ≈ If × Vf）进行散热器或铜面积设计。
• 长时间高电流运行时采取合适的降额策略，确保结温在可靠范围内。

六 布局与可靠性要点

• 输入/输出端短而粗的走线可减少寄生电感与热点。
• 对于高速开关应用，注意回流电流回路的最小化以降低 EMI。
• 如在高温工作环境或持续大电流条件下使用，需验证反向漏电随温度上升的影响并预留热裕度。
• 参考完整数据手册获取脉冲寿命曲线、热阻及典型特性，用于精确的热与电气仿真。

七 选型建议

若应用要求 45 V 以下的低压高效整流、需要较低正向压降与良好浪涌承受力，STPS3045CG-TR 为合适选择。对于更高电压或更低漏电的场合，应比较相邻电压等级或其它封装/器件以满足系统要求。阅读原厂数据手册以获取全面的参数、典型曲线与封装机械尺寸，确保设计可靠性。