型号:

DP0150BLP4-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-3
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DP0150BLP4-7B 产品实物图片
DP0150BLP4-7B 一小时发货
描述:普通双极型晶体管(BJT)
库存数量
库存:
9830
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.522
100+
0.36
500+
0.328
2500+
0.303
5000+
0.284
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@2mA,6V
特征频率(fT)80MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

DP0150BLP4-7B 产品概述

一、概述

DP0150BLP4-7B 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 PNP 雙極型晶体管(BJT),它专为需要低功耗和高频率性能的应用而设计。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,具有多种优异的电气特性,适合于广泛的电子电路中如放大器、开关电源和线性稳压器等。

二、主要特点

  1. 晶体管类型: PNP

    • DP0150BLP4-7B 为 PNP 型晶体管,具有较好的电流放大能力,适合于多种负载驱动和信号处理应用。
  2. 高增益:

    • 在 2mA 集电极电流和 6V 供电的条件下,产品的直流电流增益 (hFE) 最小值为 200,这意味着它在信号放大时能够提供良好的性能。
  3. 低饱和压降:

    • 在 10mA 和 100mA 的集电极电流下,其饱和压降 Vce(max)为 300mV。这意味着在工作时能够减少功耗,提高效率。
  4. 高频性能:

    • DP0150BLP4-7B 的频率跃迁达到 80MHz,这使得它能够在高频应用中正常工作,适合于音频放大器和无线通信领域。
  5. 宽工作温度范围:

    • 该器件可在 -55°C 到 150°C 的环境温度下稳定工作,适用于多种严苛的工作环境。
  6. 低集电极截止电流:

    • 集电极截止电流(ICBO)最大为 100nA。这一特性使得DP0150BLP4-7B 可用于高灵敏度的信号放大应用。
  7. 较高的电压和电流承受能力:

    • DP0150BLP4-7B 最大集电极电流 (Ic) 为 100mA,最大集射极击穿电压 (Vce) 为 50V,功率承受能力为 450mW,适合中等功率的应用。
  8. 封装与安装类型:

    • 采用 3-XFDFN(X1-DFN1006-3)封装,具有更小的占板面积,便于实现高密度的电路设计。

三、应用场景

DP0150BLP4-7B 是一款多功能的 PNP 晶体管,适用于以下几种应用场景:

  • 音频放大器: 可用于从微弱的信号中放大声音信号,适合各种音频设备。
  • 开关电源: 其高频性能和快速响应能力使其成为开关电源电路中的理想选择。
  • 线性稳压器: 可以用于稳压电源电路中,提高电源输出的稳定性。
  • 信号处理: 利用其高增益和低饱和压降特性,适用于高灵敏度的信号检测与处理。

四、结束语

作为 Diodes Incorporated 的一款停产产品,DP0150BLP4-7B 凭借其出色的参数性能,适合多种高性能的电子应用。尽管该产品在市场上可能已经不再供应,但其设计和应用的理念仍然对后续产品的开发提供了有价值的参考。对于想要在电路设计中提高性能的工程师来说,了解其特性及应用场合是非常重要的。