描述：场效应管(MOSFET) 1.8W 60V 7.3A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存数量
库存：
1720
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.03
100+
1.63
750+
1.45
1500+
1.37
3000+
1.3
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)969pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)44pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
DMP6110SVTQ-7 产品概述
1. 基本特性
DMP6110SVTQ-7 是一款高性能 P 通道 MOSFET，采用了先进的金属氧化物半导体技术，具有优越的电气特性和散热性能。这款器件的漏源电压（Vdss）可达 60V，连续漏极电流（Id）高达 7.3A，使其非常适合用于需要高电压和高电流处理的应用场景。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 7.3A（在 25°C 下）
- 驱动电压: 支持 4.5V 和 10V 的不同 Rds On 测试条件
- 导通电阻（Rds On）: 在不同的 Id 和 Vgs 条件下，最大值为 105 毫欧 @ 4.5A、10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 3V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 17.2nC @ 10V
- Vgs（最大）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大 969pF @ 30V
- 功率耗散: 可承受的最大功率为 1.8W（在 25°C 环境下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
3. 封装与安装
DMP6110SVTQ-7 采用了紧凑的 TSOT-26 表面贴装封装，使其在空间有限的设计中特别有用。其小巧的尺寸和高密度的组装能力，适用于当今越来越小型化的电子设备。
4. 应用场合
DMP6110SVTQ-7 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：可以用作电源开关，提供高效的电源转换和管理。
- 负载开关：在便携设备和电池驱动应用中控制负载的开合。
- DC-DC 转换器：在电源转换过程中增强转换效率，降低能量损耗。
- 电机驱动：在各种电机控制应用中作为有效开关。
由于其出色的性能参数和稳定性，DMP6110SVTQ-7 特别适合用于消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备等领域。
5. 性能优势
- 高效能: 其低导通电阻（Rds On）减少了在导通时的功率损耗，从而提高了系统的整体能效。
- 宽广的工作温度范围: 产品能够在极端的温度条件下稳定工作，使得其在工业和高温应用中具备很强的适应性。
- 紧凑封装: TSOT-26 封装的设计使得其在设计时不占空间，满足现代电子产品日益小型化的需求。
6. 结论
综上所述，DMP6110SVTQ-7 是一款具有高性能指标和多用途的 P 通道 MOSFET，能够有效满足各种应用的需求。凭借其稳定的电气性能和广泛的工作温度范围，该器件为需要高电流和高电压的电子设计提供了可靠而高效的解决方案。选择 DMP6110SVTQ-7，将助力提升您产品的竞争力和市场适应性。