型号：
IXTQ88N30P
品牌：IXYS
封装：TO-3P
批次：-
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：30
商品单价
梯度内地(含税)
1+
23.28
产品参数
属性参数值
制造商IXYS
系列PolarHT™
包装管件
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）40 毫欧 @ 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）600W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
漏源电压（Vdss）300V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）180nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）6300pF @ 25V
IXTQ88N30P 产品概述
一、产品简介
IXTQ88N30P 是由 IXYS 公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，此元件属于 PolarHT™ 系列，专为高电压和高电流应用而设计。借助先进的制造工艺和材料，IXTQ88N30P 在功率转换和控制中展现出卓越的性能，尤其适合于电源管理、动力控制和工业自动化等领域。
二、基础参数
类型与封装
- 产品类型：N 通道 MOSFET
- 封装形式：TO-3P
- 封装尺寸：TO-3P-3，SC-65-3
电气特性
- 漏源电压 (Vdss): 300V，适用于高电压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 88A（在 Tc=25°C 时），保证了组件在高负载下的稳定性。
- 导通电阻 (Rds On): 最大值为 40 毫欧，@ 44A，10V，低导通电阻减小了功率损耗。
- 栅极电压 (Vgs): 最大值为 ±20V，这使得器件能够适应多种驱动电压环境。
- 门极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 5V @ 250µA，提供良好的开关性能。
- 功率耗散 (Pd): 最大值为 600W（在 Tc=25°C 时），能够处理高功率应用带来的热量。
频率特性
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 180nC @ 10V，这确保了快速的开关速度。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 6300pF @ 25V，提供稳定的开关特性。
温度范围
- 工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使其在极端环境下可靠工作。
三、应用领域
IXTQ88N30P 的设计特性使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
电源管理：在现代电源转换器中，IXTQ88N30P 的高电压和高电流特性能够提高能效，减小体积，降低热量产生。
工业自动化：在工业设备和机器人系统中，IXTQ88N30P 可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的功率开关能力。
新能源车辆：在电动车和混合动力车中应用，以管理电池和电动机的能量流，提高效率与续航。
高功率电路：适用于高功率电源产品和变频器中，确保长期稳定运行。
四、市场优势与竞争力
作为 IXYS 公司制造的一款 MOSFET，IXTQ88N30P 具备出色的热性能和电气特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。其优越的导通电阻与高功率处理能力相结合，为设计工程师提供了更好的选择：
高效能：低导通电阻意味着更少的功率损耗，适合高效率电源应用。
宽工作温度范围：在更广泛的环境条件下使用，无需担心温度对性能的影响。
可靠性：经过严格的测试与验证，确保在高负载和极端温度条件下稳健工作。
五、总结
IXTQ88N30P 是一款高效能 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，适合各类高电压、高电流的应用需求。无论是在电源管理、电动汽车，还是工业自动化领域，IXTQ88N30P 都能提供可靠的性能和优秀的效率，满足现代电子电气系统对元器件的高要求。