DMN4036LK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET,来自知名品牌DIODES(美台)。该器件采用表面贴装型(SMD)TO-252(又称DPAK)封装,具有出色的热性能和小型化的特点,非常适合于现代电子设备中的高集成度设计。
DMN4036LK3-13最大功率耗散为2.12W(在25°C环境温度下),这为设计者提供了一个相对宽松的热设计余地。工作温度范围广泛,从-55°C至150°C,意味着该元件能够在严苛的环境条件下运行,适用于工业、汽车和通信等领域。
DMN4036LK3-13适合广泛的应用,包括但不限于:
此外,由于其高效的导通性能和优越的热管理能力,该MOSFET也非常适合用于负载开关和过流保护电路中。
DMN4036LK3-13采用TO-252封装,具有良好的散热特性,方便在PCB上进行表面贴装。这一封装类型的设计使得元件在集成度较高的电路中能够有效节省空间,同时也能在不同的应用中实现简单而可靠的布局。
总之,DMN4036LK3-13是一款性能卓越、灵活性强的N沟道MOSFET,其丰富的电气特性和广泛的应用潜力使其成为电子设计工程师在功率管理和驱动应用中的理想选择。无论是在要求高效率的电源设计还是在温度变化大的严苛环境中,DMN4036LK3-13都能够提供可靠的解决方案。