型号:

BCM856DS,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSOP
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
BCM856DS,115 产品实物图片
BCM856DS,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 380mW 65V 100mA PNP TSOP-6
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.32
100+
1.02
750+
0.851
1500+
0.774
3000+
0.718
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
功率(Pd)380mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@2mA,5V
特征频率(fT)175MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@100mA,5mA

BCM856DS,115 产品概述

引言

BCM856DS,115 是一款高性能的 PNP 晶体管,专为现代电子电路设计而优化,特别适合在高频低功耗的应用中使用。其基于 Nexperia(安世)提供的高标准制造工艺,具备稳定的电气性能和优良的工作可靠性。BCM856DS,115 以其卓越的电流放大能力和优异的频率特性,广泛适用于信号放大、电流开关和开关电源等领域。

基本参数

  1. 晶体管类型: BCM856DS,115 是一款双 PNP 配对晶体管,适合需要高线性度和低失真的应用。

  2. 电流规格: 该晶体管的最大集电极电流 (Ic) 为100mA,适合中低电流负载的信号处理和开关操作。

  3. 电压规格: 具有65V 的集射极击穿电压 (Vce) 最大值,意味着它可以在相对高电压的环境下稳定工作。

  4. Vce 饱和压降: 在电流为5mA 和100mA 的条件下,执行的 Vce 饱和压降最大值为400mV,这对于提升线路的工作效率至关重要。

  5. 集电极截止电流: 最大 集电极截止电流为15nA(ICBO),这一数据表明该器件在关闭状态下获得极低的漏电流,提升了整体电路的能源效率。

  6. 电流增益: 在2mA 的工作条件下,DC电流增益 (hFE) 的最小值为200,确保在较小的输入电流下获得良好的输出电流,适用于信号放大等应用。

  7. 功率和频率: 最大功率为380mW,而跃迁频率达到175MHz,意味着此器件在高频应用中具有良好的响应性能,适合于RF和音频设备等场合。

  8. 工作温度: 工作温度范围为150°C (TJ),确保其能够在较高温度环境中正常工作,不易受温度变化影响性能。

  9. 封装和安装: 采用表面贴装型(SMT),封装类型为6-TSOP(SOT-457),使其能够在紧凑空间内高效布置,并便于自动化生产线的组装。

应用领域

BCM856DS,115 可广泛应用于电子产品的多个领域,包括:

  • 音频放大: 其高增益和低失真特性使得 BCM856DS,115 成为音频放大器的理想选择。

  • 开关电源: 在开关电源架构中,它可以提供稳定的电流供给,提升系统的效率。

  • 射频应用: 由于其高频特性,该晶体管适用于 RF 放大器,帮助实现信号的放大与传输。

  • 信号处理电路: 作为信号调理中的重要元件,BCM856DS,115 能够处理各种信号转换,从而获得最佳的输出效果。

总结

综上所述,BCM856DS,115 是一款综合性能优异的 PNP 晶体管,具备低功耗、高效率和良好的频率响应,适合现代电子产品的多种应用需求。无论是在音频设备、开关电源,还是在更复杂的 RF 系统中,该器件都能够发挥出色的性能,成为工程师设计新一代产品的有力工具。选择 BCM856DS,115,意味着您选择了高品质和高效能,为您的电子设计保驾护航。