描述：场效应管(MOSFET) 350mW 30V 250mA 2个N沟道 SOT-363
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产品参数
属性参数值
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）1.23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）48pF @ 5V
功率 - 最大值350mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装SOT-363
DMN33D8LDW-13 产品概述
一、产品简介
DMN33D8LDW-13 是一款高性能的 N-通道场效应管（MOSFET），由知名品牌 Diodes (美台) 生产。该器件专为低功耗和高效能应用设计，具有优秀的导电性能和较低的导通电阻，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、负载开关、电机驱动和其他要求高效率的电子系统。
二、关键参数
基本参数:
- FET 类型: N-通道（双）
- FET 功能: 标准
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流 (Id): 250mA（在25°C时）
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 2.4Ω @ 250mA，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 1.5V @ 100µA
- 栅极电荷 (Qg): 1.23nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 48pF @ 5V
- 最大功率: 350mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
封装和安装:
- 封装类型: SOT-363
- 安装类型: 表面贴装型
DMN33D8LDW-13 的所有这些参数共同组成了其卓越的性能，尤其在低电压和低功率操作时可表现出极低的功耗和高效的电子开关特性。
三、性能特点
- 低导通电阻: 该 MOSFET 的最大导通电阻为 2.4Ω，能够在高电流下维持较低的功耗，提升系统的整体效率。
- 宽工作温度范围: -55°C至150°C 的丰厚工作温度范围使得本产品适用于恶劣环境，如汽车电子、工业控制等领域。
- 小型封装: SOT-363 的紧凑封装设计，适用于密集的电路板布局，节省空间，适合移动设备和消费电子产品。
- 快速开关能力: 高频率和低栅电荷特性使得该 MOSFET 非常适合用于高频开关应用，如开关电源和 PWM 控制电路。
四、应用领域
DMN33D8LDW-13 的设计使其成为许多现代电子设备的理想选择，应用领域包括但不限于：
- 开关电源：在 DC-DC 转换器和其他电源管理电路中，DMN33D8LDW-13 可用于高效开关操作，降低能量损失。
- 负载开关：可用于电源时序控制和过流保护，提升系统可靠性。
- 电机驱动：可用于小型电机的驱动电路，提高电机的工作效率及控制精度。
- 自动化与工业控制：在各种控制系统中，DMN33D8LDW-13 可用于信号开关和功率驱动，支持更复杂的自动化解决方案。
五、总结
总的来说，DMN33D8LDW-13 是一款功能强大的 N-通道 MOSFET，其卓越的性能特征和宽广的应用范围，使得它在现代电子产品设计中具有重要意义。特别是在对功耗和效率有高要求的场合，DMN33D8LDW-13 提供了优秀的解决方案，有助于提高整个系统的性能和稳定性。选择 DMN33D8LDW-13，将为您的电子设计项目带来更多的灵活性和更高的效率。