型号：
DMN2015UFDF-7
品牌：DIODES(美台)
封装：U-DFN2020-6
批次：21+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
1613
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.25
100+
0.967
750+
0.807
1500+
0.733
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15.2A (Ta)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9 毫欧 @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42.3nC @ 10V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1439pF @ 10V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装U-DFN2020-6
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
DMN2015UFDF-7 产品概述
1. 产品简介
DMN2015UFDF-7 是一款由美台半导体（DIODES）制造的高性能 N 通道绝缘栅场效应管（MOSFET），它被广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统。该器件凭借其优异的电气特性和表面贴装封装，适用于在要求高效率和小型化的应用场景中，能有效提升电路性能。
2. 关键参数
- FET 类型: N 通道
- 漏源电压 (Vdss): 20V，适合低至中压应用
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达 15.2A，确保在大电流环境下的稳定运行
- 驱动电压: 提供灵活的选项，最大导通电阻（Rds On）在 1.5V（典型值）和 4.5V（最大值）下表现出色
- 导通电阻 (Rds On): 在8.5A及4.5V条件下最大值为9毫欧，确保高效电源转换及最小的能量损耗
3. 开关与辐射特性
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为1.2V @ 250µA，意味着DMN2015UFDF-7能够在相对较低的栅极电压下启用，增加了兼容性和灵活性。
- 栅极电荷 (Qg): 最大为42.3nC @ 10V，显示出较低的驱动电流需求，这对于高频开关应用是一个重要的优势。
- 输入电容 (Ciss): 1439pF @ 10V，提供低输入阻抗，这对于高频应用尤其意义重大。
4. 热性能与散热能力
- 功率耗散 (Pd): 最大为1.8W（Ta），使得在高负载和高频应用下仍能保持较低的工作温度，有助于延长器件使用寿命。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，广泛适用于极端温度环境，保证在各种恶劣条件下的可靠性。
5. 封装与安装
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)，为现代电子设计提供更高的密度及可焊性。
- 供应商器件封装: U-DFN2020-6，轻巧的设计使得其在空间有限的应用场合中更为理想。
6. 应用领域
DMN2015UFDF-7 的特性使其在多个应用场景中展现出极高的价值，包括但不限于：
- DC-DC 转换器
- 办公设备、电源适配器
- 电机控制
- 光伏逆变器
- 电池管理系统
7. 竞争优势
相较于市场上同类产品，DMN2015UFDF-7 在导通电阻、电流承受能力及温度特性等方面均具备明显的竞争优势。这些特性使得它在高频开关应用中表现卓越，且市场需求持续增长，为电子设计师提供了更宽广的设计选择。
8. 总结
总之，DMN2015UFDF-7 绝缘栅场效应管凭借其优异的性能参数、极好的热稳定性和广泛的应用范围，已成为业内设计师和工程师的重要选择之一。无论是在电源管理还是其他电力电子应用中，DMN2015UFDF-7 都展示了其高效性和可靠性，满足了现代电子设计对高性能和高集成度的需求。