型号：
BSC0901NSATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TDSON-8
批次：22+
包装：编带
重量：0.143g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W；69W 30V 100A；28A 1个N沟道 TDSON-8
库存数量
库存：
1255
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.64
100+
1.31
1250+
1.18
2500+
1.11
5000+
1.05
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 250µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8-5
封装/外壳8-PowerTDFN
漏源电压（Vdss）30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）44nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2800pF @ 15V
BSC0901NSATMA1 产品概述
一、产品简介
BSC0901NSATMA1 是一款由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它属于 OptiMOS™ 系列，是一款优化设计的功率MOSFET，专为高效率电源转换和电流控制应用而设计。本产品以其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的工作温度范围，成为现代电子设计中不可或缺的元器件，适合用于电源管理、开关电源和电机驱动等领域。
二、关键特性
高电流处理能力：
- 连续漏极电流：在环境温度 (Ta) 达到 25°C 的情况下，BSC0901NSATMA1 支持连续漏极电流 (Id) 到达 28A，而在更优的冷却条件下（Tc）可支持高达 100A。这使得该MOSFET能够满足高功率应用的需求。
低导通电阻：
- 该产品的最大导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极电压下，达到 1.9 毫欧（针对30A）。低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
广泛的栅极驱动电压范围：
- BSC0901NSATMA1 支持的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，使其适配多种控制电路，且能够在较低的驱动电压下依然保持良好的导通性能。
高工作温度范围：
- 本产品的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，为高温及苛刻环境下的应用提供了保障，有助于拓展其应用领域。
优化的封装设计：
- 采用 8-PowerTDFN（PG-TDSON-8-5）封装形式，旨在减少 PCB 占用空间，提高散热性能，有助于设计更紧凑的电路。
快速的开关特性：
- Qg（栅极电荷）的最大值为 44nC @ 10V，有助于实现快速开关，降低开关损耗，提高开关频率和效率。
三、应用场景
BSC0901NSATMA1 的卓越性能使其广泛应用于以下领域：
电源管理： 适用于高效率 DC-DC 转换器、线性稳压器和其他电源管理设备，能够有效提升系统的整体效率。
后备电源（UPS）： 在不间断电源（UPS）系统中，BSC0901NSATMA1 可用作开关管，提供可靠的电力传输和管理.
电机驱动： 在电动机控制系统中，该MOSFET可用于高效的直流电机驱动器，提高能量利用率，降低热量损失。
自动化和电动交通： 应用于电动汽车、机器人等领域，支持高功率和高效率的电动驱动系统，满足现代智能交通和自动化设备对高性能元件的需求。
四、总结
BSC0901NSATMA1 是一款高效、可靠、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和温度适应性，能够满足现代电力电子应用的苛刻要求。无论是用于电源转换、电机控制，还是在高温环境下的其他工业应用，它都能够提供稳定的性能和高效的能量管理。选择 BSC0901NSATMA1，将为您的设计带来更高的效率和可靠性，推动技术的创新与发展。