描述：三极管(BJT) 2.3W 30V 5.7A；4.8A NPN+PNP SOIC-8
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)5.7A；4.8A
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)2.3W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@2A,2V；250@2A,2V
特征频率(fT)140MHz；115MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@6A,300mA；340mV@5A,250mA
产品概述：PBSS4032SPN,115
PBSS4032SPN,115 是来自 Nexperia USA Inc. 的一款高性能三极管（BJT），它结合了先进的半导体材料科技和精密的工程设计，适用于多种电子应用场景。该元器件在电子电路中扮演着关键角色，主要用于信号放大、开关控制以及其他多种电源管理任务。
1. 基本参数
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 封装类型：SO-8（8-SOIC）
- 零件状态：最后抢购
- 晶体管类型：NPN和PNP，具备灵活的设计选项，适应不同电路需求。
2. 电气特性
最大集电极电流（Ic）：5.7A（NPN），4.8A（PNP），使得该三极管能够在高负载条件下稳定运行，适用于高功率应用。
最大集射极击穿电压（Vce）：30V，提供良好的耐压性能，确保在高电压环境中可靠运行。
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降：
- 450mV @ 300mA，6A
- 510mV @ 250mA，5A
低饱和压降有助于减少能量损耗，提升整体电路效率。
最大集电极截止电流（Ic(sat)）：100nA，极低的截止电流确保电路在关断状态时消耗极少的电力，适用于能源敏感的应用。
直流电流增益（hFE）：
- 最小值250 @ 2A，2V
- 最小值150 @ 2A，2V 该增益值保证了设备在放大及开关操作中的高效能，提高了电路的工作效率和输出稳定性。
功率最大值：2.3W，确保在实际应用中具备良好的散热性能。
3. 频率特性
PBSS4032SPN,115 在工作频率上表现优秀，具有高达140MHz 和 115MHz 的跃迁频率，这使其能够在高频率操作中保持信号的完整性及稳定性，极大拓宽了其应用场景。
4. 工作环境
- 工作温度：最高可达150°C（TJ），适应高温环境，适合汽车、工业控制、医疗设备等领域的需求。
5. 安装与封装
- 安装类型：表面贴装型（SMD），适合现代电子设备小型化需求。
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154" , 3.90mm 宽），便于在密集电路板上进行布线，有助于减小整体布局占用空间。
6. 应用领域
PBSS4032SPN,115 具有广泛的应用范围，包括但不限于：
- 开关电源：在电源管理中，该元器件提供了稳定的开关能力，减少系统能耗。
- 音频输出：在音频放大器中用作信号放大，提高了音频信号的质量。
- LED驱动：控制LED的开关与亮度，胜任LED照明及显示领域。
- 汽车电子：能够满足汽车电子产品在极端温度下的严苛要求。
结论
PBSS4032SPN,115 是一款功能强大、性能卓越的NPN/PNP三极管，充分展现了 Nexperia 在半导体领域的技术实力。凭借其高电流承载能力、低饱和压降、高工作频率和广泛的应用范围，该产品必将成为设计工程师在选择器件时的首选。无论在各种消费电子、工业控制还是汽车电子领域，PBSS4032SPN,115 都能为用户提供卓越的性能表现与可靠的电气特性。