型号:

BAT54FILMY

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-236-3
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAT54FILMY 产品实物图片
BAT54FILMY 一小时发货
描述:肖特基二极管 900mV@100mA 40V 1uA@30V 300mA
库存数量
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3
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.185
3000+
0.164
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)900mV@100mA
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流300mA
反向电流(Ir)1uA@30V
工作结温范围-40℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)1A

BAT54FILMY 产品概述

一、产品简介

BAT54FILMY 是意法半导体(ST)提供的一款独立式肖特基二极管,封装为 TO-236-3(俗称 SOT-23)。该器件针对低电压、低功耗和高速开关场合设计,具有较低的正向压降和极小的反向漏电,适用于便携设备和模拟/数字混合电路中的保护与整流应用。工作结温范围为 -40 ℃ 至 +150 ℃,可以满足较宽温度工况的可靠性要求。

二、主要电气参数

  • 二极管配置:1 个独立式
  • 工作结温:-40 ℃ ~ +150 ℃
  • 正向压降(Vf):900 mV @ 100 mA
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):1 A
  • 直流反向耐压(Vr):40 V
  • 反向电流(Ir):1 μA @ 30 V
  • 整流电流(平均):300 mA
  • 品牌:ST (意法半导体)
  • 封装:TO-236-3(SOT-23)

以上参数表明该器件在 100 mA 级别工作时正向电压约为 0.9 V,具有 40 V 的反向耐压能力及较低的反向漏流,适合中小电流的整流与保护用途。

三、关键特性与优点

  • 低正向压降:在中等电流(例如 100 mA)下 Vf 约 0.9 V,有助于降低导通损耗。
  • 低反向漏流:Ir 为 1 μA(@30 V),在高阻态或待机条件下可降低泄漏功耗。
  • 宽温度范围:-40 ℃ 至 +150 ℃,适合汽车电子、工业控制等环境。
  • 封装小巧:SOT-23 封装占板面积小,便于高密度 PCB 布局与自动贴片加工。
  • 快速开关特性:肖特基结构决定了较小的恢复时间,利于高频开关与检测电路。

四、典型应用场景

  • 反向极性保护与电源防护(低功耗便携设备、电池反接保护)
  • 小电流整流与二极管 OR-ing(电源冗余切换)
  • 快速切换与钳位电路(逻辑电平保护、脉冲钳位)
  • 检波与电平检测(射频前端以外的低频检波)
  • 工业与汽车级电子系统中对空间、功耗、温漂敏感的应用场合

五、使用与布局建议

  • 封装引脚短且热阻较小,建议将热敏元件或大电流走线靠近地平面引出,以利散热。
  • 为减小引线阻抗与寄生电感,在需要承载瞬态脉冲时应尽量缩短走线并增宽铜箔。
  • 在高工作温度或连续 300 mA 附近工作时,注意器件结温上升,必要时评估热增强与降额使用。
  • PCB 布局应保持肖特基二极管附近的敏感节点(如模拟输入)远离开关噪声源,并考虑加旁路电容以抑制瞬态电压尖峰。
  • 对于反向漏电敏感的电路,需在预期工作温度下验证 Ir 随温度上升的变化,以免在高温工况下出现不可接受的漏电。

六、选型注意事项与替代建议

  • 若应用电流远高于 300 mA 或要求更低 Vf,应考虑采用更大尺寸或低压降的肖特基器件;反之若要求更低漏电,可选漏电更小的型号。
  • 对于更高的浪涌能力或更高反向耐压(>40 V)需求,应选择相应额定更高的型号。
  • 在对封装有特殊要求(如更小的 DFN、SOD 或更大功率 DO-214)的场合,参考同系列或同等级别的替代器件并评估热性能与电气参数差异。
  • 最终选型建议结合系统工作电流、峰值脉冲、工作温度以及尺寸限制,在样片上进行温升与漏电测试以验证可靠性。

总结:BAT54FILMY(ST,TO-236-3)是一款适用于中小电流整流和保护场合的肖特基二极管,具有低正向压降、低漏电、宽温度适应性和小型封装等优势。在选型与布局时应关注功耗热管理与漏电随温度变化的影响,确保在目标工况下具有足够的裕量和可靠性。