描述：场效应管(MOSFET) 1.04W 30V 2.3A 2个N沟道 MSOP-8
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1000+
1
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@10V
功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)290pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
ZXMD63N03XTA 产品概述
概述
ZXMD63N03XTA 是一种高效能、双N通道场效应管（MOSFET），它专为需要高功率和良好热管理的电子应用而设计。该器件采用MSOP-8封装，提供了紧凑的尺寸和优良的电气性能，适合多种现代电子设计。
主要参数
- 类型：双N通道MOSFET
- 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)：最大值2.3A（在25°C环境下）
- 导通电阻（最大值）：135毫欧 @ 1.7A，10V
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值1V @ 250µA（最小值）
- 栅极电荷（Qg）：最大值8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：最大值290pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.04W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：表面贴装型（MSOP-8）
应用领域
ZXMD63N03XTA广泛应用于各种消费电子产品、工业控制设备以及电源管理系统。由于其出色的热特性和高电流承载能力，该MOSFET可以在高效率开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和负载开关等应用中发挥重要作用。
设计优势
- 高导通性能：该器件的导通电阻（Rds(on)）为135毫欧，极大的降低了在其运行过程中产生的热量，使得系统更为稳定，可靠性更高。
- 逻辑电平控制：ZXMD63N03XTA 的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大为1V，使其能够与大多数逻辑电平信号兼容，简化了设计的复杂性。
- 宽广的工作温度范围：器件能够在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，适合在严苛环境中运行，提高了产品的适用性。
- 节省空间的封装：MSOP-8封装设计不仅有助于减少PCB面积，还方便自动化贴装，适合现代电子设备对小型化及高效性的要求。
封装信息
ZXMD63N03XTA采用串联MSOP-8封装，尤其适合紧凑型电路设计。该封装不仅提供了出色的电气性能，也具备较好的热导性，能够满足大功率应用的需求。同时，MSOP封装增加了焊盘布局的灵活性，有助于提高设备的整体性能和可靠性。
结论
ZXMD63N03XTA是市场上高性价比的双N通道MOSFET之一，凭借其优异的电气性能、逻辑电平兼容性以及广泛的应用范围，为电子设计工程师提供了一种理想的选择。无论是在消费电子还是工业应用中，ZXMD63N03XTA均能有效提升系统的可靠性和效率，是现代电子产品实现高效能的关键元器件之一。选择ZXMD63N03XTA，带来不仅是元件的优越性能，还有广泛的设计灵活性和市场信赖。