型号:

PDTD143ETR

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT23
批次:25+
包装:编带
重量:1g
其他:
PDTD143ETR 产品实物图片
PDTD143ETR 一小时发货
描述:数字晶体管 460mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
5933
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.302
200+
0.195
1500+
0.17
3000+
0.15
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)320mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.5V@100uA,5V
输入电阻4.7kΩ
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:PDTD143ETR 数字晶体管

一、产品简介

PDTD143ETR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能数字NPN晶体管,专为各种电子电路设计而成。这款晶体管不仅具备高增益特性,还提供了优良的开关性能,适合用于多种应用场景,如信号放大、电流开关和开关电源等。该器件采用了SOT-23封装形式,适合表面贴装技术(SMT),使得在现代电子产品中的使用更加灵活和高效。

二、技术参数

  1. 基础参数

    • 晶体管类型:NPN - 预偏压
    • 最大集电极电流 (Ic):500mA
    • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
    • 最大功率:320mW
    • 电流 - 集电极截止 (最大值):500nA
    • 频率 - 跃迁:225MHz
  2. 电流增益 (hFE)

    • 当 Ic = 50mA,Vce = 5V 时,hFE 的最小值为 60。
  3. 饱和压降

    • Vce饱和压降(最大值)为 100mV,当 Ib = 2.5mA,Ic = 50mA。
  4. 基础电阻器值

    • 基极电阻 R1:4.7 kΩ
    • 发射极电阻 R2:4.7 kΩ

三、应用领域

PDTD143ETR 适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 数字电路:可用于逻辑电路中作为开关器件,控制信号的传递。
  • 信号放大:在信号处理过程中,提高信号强度,增强信号质量。
  • 功率管理:在开关电源设计中,作为高效的开关元件,实现能量转换与传输。
  • 多媒体设备:在音频设备、视频设备等中,确保信号传输的可靠性与稳定性。

四、封装与安装

PDTD143ETR 采用 SOT-23 封装,具有以下优点:

  • 体积小巧:有助于组件的密集布置,适应现代微型化产品的需求。
  • 热性能良好:有效的热管理设计,确保在高功率下的稳定工作。
  • 便于自动化生产:表面贴装技术简化了生产流程,提升生产效率和质量控制。

五、竞争优势

  • 高增益特性:在相对较小的电流输入下,能够提供较大的输出电流,提升电路效率。
  • 极低的门限电流:仅500nA的集电极截止电流,降低了待机功耗,适合于现代高能效标准的产品需求。
  • 宽广的频率响应:225MHz的跃迁频率,使其能用于高频应用,适应不断增长的通信需求。

六、总结

作为 Nexperia 公司的优质产品,PDTD143ETR 数字晶体管以其优越的性能参数、出色的设计与广泛的应用范围,成为现代电子电路设计中的可靠选择。无论是在家用电子产品、工业设备,还是在先进的通信系统中,PDTD143ETR 都能发挥重要作用,为工程师提供灵活的解决方案,以应对多样化的应用需求。对于寻求高效、经济和可靠性的设计人员而言,PDTD143ETR 是不容错过的优质选择。