型号:

IRF7403TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:0.275g
其他:
IRF7403TRPBF 产品实物图片
IRF7403TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 8.5A 1个N沟道 SOIC-8
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@10V,4.0A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)57nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.2nF
反向传输电容(Crss@Vds)160pF
工作温度-55℃~+150℃

IRF7403TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),属于英飞凌(Infineon)公司的产品系列。该 MOSFET 以其卓越的电气特性和多样的应用场景而广受青睐,特别在功率开关和线性调节电源等领域表现突出。以下是该产品的详细概述。

基本参数

IRF7403TRPBF 的关键电气特性包括:

  • 漏源电压(Vdss): 该器件能够承受最高达 30V 的漏源电压,适合在中等电压应用中使用。
  • 最大连续漏极电流(Id): 在标准环境温度下(25°C),IRF7403TRPBF 支持最大连续漏极电流为 8.5A,这使得它适用于多种功率电子应用。
  • 导通电阻(Rds(On)): 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 4A 的条件下,最大导通电阻为 22毫欧,低导通电阻确保器件在开关操作过程中的高效能和低功耗损耗。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大阈值电压为 1V(在 250µA 下测得),表明在很低的栅极电压下就能够控制器件的通断特性,提升了控制灵活性。

驱动电压

IRF7403TRPBF 的驱动电压范围为 4.5V 至 10V,适合广泛的驱动电路。这种温差使得该 MOSFET 在低电压环境下仍能够有效工作,适合物联网设备、可穿戴设备等对能效要求高的应用。

整体性能

由于该 MOSFET 的输入电容(Ciss)最大值为 1200pF @ 25V,这使得 IRF7403TRPBF 在高频开关应用中具备较好的性能。其栅极电荷(Qg)最大值为 57nC @ 10V,对于 MOSFET 控制电路而言,可实现更快的开关速度,减少开关损耗。

功率和工作环境

IRF7403TRPBF 的最大功耗为 2.5W,这适用于一般功率应用。它的工作温度范围宽广,能够在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定工作。这种特性使得它适用于严酷环境下的应用,如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。

封装和安装方式

该 MOSFET 采用了 SO-8 表面贴装封装(8-SOIC),尺寸紧凑,适合现代电子设备的空间需求。同时,表面贴装技术的应用使得 IRF7403TRPBF 可以快速、便捷地集成到电路板上,提升了产品的制造效率。

应用场景

IRF7403TRPBF 因其出色的电气性能和耐环境性,适合多种应用场景,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器
  • 电池管理系统
  • 开关电源
  • 电机驱动器
  • 负载开关

综上所述,IRF7403TRPBF 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,是设计工程师在选择功率管理解决方案时的重要考虑。凭借其优异的性能参数,广泛的应用领域和工业认可的品牌背书,IRF7403TRPBF 能够为各种电子项目提供稳定的性能和良好的经济效益。