型号:

WNM3400-3/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:SOT-23
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
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WNM3400-3/TR 一小时发货
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存数量
库存:
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(起订量: 5, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.564
200+
0.364
1500+
0.316
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@2.5V,2A
功率(Pd)1.67W
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)837pF
反向传输电容(Crss@Vds)51pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

WNM3400-3/TR 产品概述

产品描述

WNM3400-3/TR 是一款由韦尔半导体(WILLSEMI)生产的绝缘栅场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装。MOSFET是一种广泛应用的电源开关元件,凭借其高效率和小巧的尺寸,在现代电子设备中得到了广泛的应用。

主要特性

  1. 高效率与低功耗:WNM3400-3/TR 具备低导通电阻(R_DS(on)),可实现高效率的电能转换,尤其在低电压和低功率应用中表现优异。低功耗特性能够显著减小系统的热量损耗,提高可靠性。

  2. 宽工作电压范围:该MOSFET支持较宽的栅电压范围,能够适应不同的驱动条件,提供不同的工作状态。这使得WNM3400-3/TR可应用于多种电源电路中。

  3. 高速开关性能:该器件具有较快的开关特性,适合用于开关电源、直流-直流转换器和电动机驱动等需要高频开关操作的应用。

  4. 抗干扰能力强:它的绝缘栅特性使其对外部电磁干扰具备较强的抗扰能力,提高了系统的稳定性和耐用性。

应用领域

WNM3400-3/TR 适合于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源:广泛应用于电源适配器、充电器、LED驱动电源等场合,能够有效提高电源转换效率。

  • 自动化控制系统:在工业控制及自动化设备中,可以用作开关元件来控制电机、传感器和执行器的运行。

  • 消费电子产品:适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品的电源管理,帮助延长电池使用寿命。

  • 电动交通工具:在电动汽车和电动自行车中,该MOSFET能够有效地控制电池输出,提高驱动效率。

封装及安装

WNM3400-3/TR 使用 SOT-23 封装,这种小型封装不仅便于在空间受限的板级设计中使用,而且支持自动化贴片组装,降低了制造成本。SOT-23 封装的优良散热特性也为其在高速应用中的稳定性提供了保障。

总结

WNM3400-3/TR 绝缘栅场效应管以其卓越的性能和灵活的应用适应性,成为了电子设计师在寻求高效能、低功耗解决方案时的重要选择。无论是在消费电子、工业设备还是电动交通工具中,WNM3400-3/TR 都能提供可靠的电源管理解决方案,助力现代电子产品的进化与创新。随着电子技术的不断发展,使用WILLSEMI的MOSFET将进一步推动各种新应用的实现,为用户带来更高的经济效益和使用体验。