型号:

LM2901QDRG4Q1

品牌:TI(德州仪器)
封装:14-SOIC
批次:22+
包装:编带
重量:0.19g
其他:
-
LM2901QDRG4Q1 产品实物图片
LM2901QDRG4Q1 一小时发货
描述:比较器 开集 7mV 1V~18V;2V~36V 250nA SOIC-14
库存数量
库存:
1000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.2
2500+
2.1
产品参数
属性参数值
比较器数四路
输入失调电压(Vos)2mV
输入偏置电流(Ib)25nA
传播延迟(tpd)1.3us
输出类型开漏
输出模式TTL;MOS;CMOS
静态电流(Iq)800uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~30V
输入失调电流(Ios)5nA
响应时间(tr)0.3us

LM2901QDRG4Q1 产品概述

一、概述

LM2901QDRG4Q1 是德州仪器(TI)推出的四路比较器,封装为14-SOIC。器件采用开漏输出结构,能与 TTL、MOS、CMOS 等逻辑电平兼容,适用于电压检测、窗口比较、零交叉检测与简单的模拟监控电路。器件支持宽电源电压范围并具有工业级工作温度,便于在车载与工业场景中使用。

二、主要电气参数(典型/规格)

  • 比较器通道数:4 路
  • 输入失调电压 Vos:典型 2 mV
  • 输入偏置电流 Ib:典型 25 nA
  • 输入失调电流 Ios:典型 5 nA
  • 传播延迟 tpd:约 1.3 μs
  • 响应时间 tr:约 0.3 μs
  • 输出类型:开漏(需外部上拉)
  • 静态供电电流 Iq:约 800 μA(整片)
  • 单电源工作电压范围:2 V ~ 30 V
  • 最大供电差(VDD–VSS):36 V(绝对最大值)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:14-SOIC(TI 标准器件封装)

三、典型特点与优势

  • 四路整合,节省 PCB 面积与系统成本;
  • 低输入失调电压与低偏置电流,适合精密门限判别;
  • 开漏输出可任意选择上拉电阻与电源电平,灵活匹配不同逻辑接口;
  • 宽电源电压与高温工作范围,满足工业和汽车级应用需求。

四、应用建议

  • 输出端需外接上拉电阻,上拉值按速度与功耗折中选择(典型 1 kΩ~100 kΩ);上拉电源应与被驱动逻辑的电源电平相匹配;
  • 电源端加旁路电容(如 0.1 μF)靠近封装引脚以降低噪声与瞬态影响;
  • 未使用通道应避免悬空,建议将输入短接到确定电平并在输出端配置上拉/下拉;
  • 在高噪声或长线输入场合,建议在输入端加 RC 滤波或施密特触发前级以抑制误触发。

五、注意事项

  • 避免输入或输出超过器件电源轨的电压;若可能存在高于电源轨的信号,需要外部限流或钳位保护;
  • 开漏输出不能直接驱动高电流负载,上拉电阻与负载电阻应确保输出晶体管电流在安全范围内;
  • 设计时关注温漂与匹配,若系统对门限精度要求极高,应考虑器件批次差异并进行校准。

LM2901QDRG4Q1 以其四路集成、低偏置与工业级电源温度特性,适合多种需要可靠比较功能的电子系统。