型号:

CSD17307Q5A

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-VSONP(5x6)
批次:-
包装:编带
重量:0.166g
其他:
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CSD17307Q5A 产品实物图片
CSD17307Q5A 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 3W 30V 14A 1个N沟道 DFN-8(4.9x5.8)
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.27
1000+
2.06
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)73A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.8mΩ@4.5V,11A
功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)700pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)36pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

CSD17307Q5A 产品概述

一、产品简介

CSD17307Q5A 是由德州仪器(TI)生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 8-VSONP(5x6mm)封装,特别设计用于高效电源管理应用。这款 MOSFET 在诸如DC-DC 转换器、负载开关及电机驱动等场合表现出色,能够在负载较高的条件下工作,满足现代电子设备对小型化、高效能的需求。

二、技术参数

CSD17307Q5A 提供了一系列优越的电气性能,具体参数如下:

  • 导通电阻 (Rds(on)):在 11A 的条件下,最大导通电阻为 10.5 毫欧,且在 8V 驱动下表现出色。这使得其在高电流条件下损耗降低,从而提升了整体系统的效率。

  • 漏极电流 (Id):该MOSFET的连续漏极电流为 14A(在环境温度下),而在结温 (Tc) 达到 150°C 时,漏极电流可达到 73A,展现出强大的散热性能和负载能力。

  • 栅极驱动电压 (Vgs):支持最低 3V 至最高 10V 的栅极驱动电压,使得 CSD17307Q5A 可以与多种控制器(如微控制器和数字信号处理器)兼容,简化了系统设计。

  • 漏源电压 (Vdss):该产品的漏源电压为 30V,适用于绝大多数中低压电源管理应用。

  • 输入电容 (Ciss):其最大输入电容为 700pF,在 15V 条件下测得,这一特性使得 CSD17307Q5A 的开关速度更快,有助于提高整体电源转换效率。

  • 栅极电荷 (Qg):在 4.5V 的栅极电压下,最大栅极电荷为 5.2nC,指示其良好的开关性能,适合高速开关应用。

  • 工作温度范围:支持的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够在极端环境下可靠工作。

三、应用场景

CSD17307Q5A 由于其优良的电气特性和热管理能力,广泛应用于多个领域,包括:

  1. DC-DC 转换器:在开关电源和Buck/Boost转换器中,MOSFET 可以用作开关元件,确保高效能的功率转换。

  2. 负载开关:可以用作各种负载的智能开关,适用于低功耗电子设备。

  3. 电机控制:与电机驱动电路相结合,能够提供有效的铅电机控制。

  4. 消费电子:在手机、平板电脑和其他移动设备中,提供高效、紧凑的电源解决方案。

  5. 电动车辆:在电动车辆的动力系统和充电控制器中,都能找到该产品的身影,充分展示其高的功率密度和转换效率。

四、总结

CSD17307Q5A 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电流处理能力、低导通电阻、宽温度范围和优秀的开关性能,成为成为现代电子设备中不可或缺的元件。无论是在低压电源管理还是在高效电机控制中,CSD17307Q5A 都能帮助工程师提高系统性能、降低功耗,推动电子产品的小型化和高性能化。对于需要高密度电源设计的工程师,CSD17307Q5A 无疑是一个值得考虑的优质选择。