型号：
IPD50R3K0CEAUMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：22+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
596
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.2
2500+
1.13
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3 欧姆 @ 400mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.5V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4.3nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）84pF @ 100V
功率耗散（最大值）26W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
产品概述：IPD50R3K0CEAUMA1
基本介绍
IPD50R3K0CEAUMA1 是一款由英飞凌公司（Infineon Technologies）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件基于先进的 MOSFET 技术，广泛应用于高压和高功率电子电路中。其主要优势在于出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其成为电源管理、逆变器和电动汽车等应用的理想选择。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 高达 500V，能够承受高压环境，适用于工业和电力转换应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下可达 1.7A，适合中等功率需求电路。
- 导通电阻 (Rds On): 在 13V 驱动电压下，最大导通电阻为 3 欧姆 @ 400mA，展现出优异的能效和散热性能。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 3.5V @ 30µA，便于驱动电路设计。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时最大电荷为 4.3nC，确保快速的开关速度，有效降低开关损耗。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 84pF @ 100V，适合高速应用并且能有效减小电磁干扰（EMI）风险。
- 功率耗散: 最大可达到 26W（Tc），支持高功率电源转换设计，具备良好的散热能力。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，适应严苛环境条件，确保长期稳定运行。
封装与安装
IPD50R3K0CEAUMA1 采用 TO-252-3 (DPAK) 表面贴装型封装，具备良好的散热性能，适合高密度电路板设计。此封装形式不仅便于自动化生产，还优化了安装空间，极大地提升了整体设计的灵活性。该器件的引线和接片设计，可有效降低原材料成本和生产复杂性。
应用领域
由于其出色的电气特性和可靠性，IPD50R3K0CEAUMA1 被广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 高频开关电源、DC-DC 转换器和电源适配器等。
- 工业控制: 用于电动机驱动和自动化设备中，提供稳定可靠的电源管理。
- 汽车电子: 适合用在电动汽车的驱动和管理系统中，支持高效率的电力转换。
- 消费电子: 用于各种消费类电子产品，实现高效稳定的动力输出。
结论
IPD50R3K0CEAUMA1 是一款高效、可靠且多功能的 N 通道 MOSFET，具备优越的电气特性和宽广的应用范围，适合各类高压、高功率电子电路。借助英飞凌的创新技术与严谨的产品质量，该器件能够为现代电子设备提供强大的支持，确保其在高效能的同时，还能适应多变的市场需求。无论是在新能源、工业设备，还是消费电子领域，IPD50R3K0CEAUMA1 都将是您优先考虑的理想解决方案。