IPA65R400CEXKSA1

产品概述：IPA65R400CEXKSA1 MOSFET

IPA65R400CEXKSA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高压、高效率的电源管理应用而设计，具备优越的电气特性和可靠性，适合广泛的应用场景，如开关电源、逆变器、电动机驱动以及高频转换等领域。

1. 技术参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 漏源电压 (Vdss): 650V
• 最大驱动电压 (Vgs): ±20V
• 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的 Vgs 下，最大值为 400毫欧（@ 3.2A）
• Vgs(th)（阈值电压）: 最大值为 3.5V（@ 320µA）
• 栅极电荷 (Qg): 39nC（@ 10V）
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 710pF（在 100V 下）
• 功率耗散 (Pd): 最大值为 31W（在 Tc 条件下）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 封装: TO-220-3 整包

2. 应用场景

IPA65R400CEXKSA1 以其卓越的电气性能，特别适合用于具有高电压需求及高效率要求的场合，包括但不限于：

• 开关电源: 在电源转换过程中，极低的导通电阻和高漏源电压能力能够显著提高系统的转换效率，降低热损耗。
• 逆变器: 用于光伏发电系统、风能发电等可再生能源利用中的逆变器，提高能量转换的稳定性和效率。
• 电动机驱动: 可以有效地控制电动机的启动、停止及转速调节，适合各种工业自动化设备及家电产品。
• 汽车电子: 作为电池管理系统、DC-DC 转换器的核心开关元件，保障电动汽车的高效能及安全性。

3. 突出特性

• 超低导通电阻: 该器件在 Vgs 为 10V 时的最大导通电阻仅为 400毫欧，使其在 işl状态下具有超高效率，并降低了功耗。
• 高耐压能力: 650V 的漏源电压使其适合于高压电源应用，能够应对严苛的电气环境。
• 高散热能力: 具备 31W 的功率耗散能力，适合要求高散热性能的应用。
• 卓越的温度稳定性: 工作温度范围广，从 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境下也能保持稳定性能。

4. 封装与安装

IPA65R400CEXKSA1 采用 TO-220-3FP 封装，支持通孔安装，便于散热设计和系统集成。此封装形式是电力电子领域常用的选择，能够有效提升散热性能，提高器件的工作稳定性。

5. 结论

总体而言，IPA65R400CEXKSA1 是一款出色的 N 通道 MOSFET，它结合了低导通电阻、高电压能力、良好的热管理和宽广的工作温度范围，满足了现代电源和驱动技术中对性能和可靠性的高需求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，IPA65R400CEXKSA1 都展现出了其优越的价值，成为众多设计工程师的理想选择。