描述：场效应管(MOSFET) 78W 100V 45A；8.5A 1个N沟道 TDSON-8
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19.6mΩ@10V,45A
功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@42uA
栅极电荷(Qg@Vgs)34nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)26pF
工作温度-55℃~+150℃
BSC196N10NSGATMA1产品概述
概述
BSC196N10NSGATMA1是由Infineon Technologies推出的高效能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于其OptiMOS™系列。该产品在散热性能、开关速度、导通电阻等方面表现出色，尤其适用于高电压和高电流的应用场景，如电源转换器、逆变器和电动汽车驱动电路等。
产品主要参数
- 制造商: Infineon Technologies
- 系列: OptiMOS™
- 零件状态: 有源
- FET类型: N沟道
- 包装: 卷带（TR）
关键电气特性
连续漏极电流 (Id):
- 8.5A（环境温度下，Ta = 25°C）
- 45A（在冷却条件下，Tc = 25°C）
最大漏源电压 (Vdss): 100V
导通电阻 (Rds On):
- 最大值：19.6 毫欧 @ 45A，10V
阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V @ 42µA
栅源电压 (Vgs): 最大值为±20V
功率耗散 (Pd): 最大值为78W（在Tc时）
工作温度范围 (TJ): -55°C ~ 150°C
封装与尺寸
BSC196N10NSGATMA1采用表面贴装型封装，具体封装类型为PG-TDSON-8-1，封装形式为8-PowerTDFN。这种封装结构不仅能有效降低占用空间，也有助于优化散热设计，从而提升整体系统的可靠性和效能。
电荷特性
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为34nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为2300pF @ 50V
应用场景
BSC196N10NSGATMA1 MOSFET适用于多种高性能应用，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器中，高效的电流开关能力可以显著提高系统的整体效率。
- 工业设备: 适用于需要高电流控制的电机驱动及其他工业控制应用。
- 电动汽车: 在电动汽车驱动电路及充电桩中，能够提供高效的能量转换和控制。
- 消费电子: 可用于各种调节电源和信号处理电路，提升设备的整体性能和响应速度。
优势特点
- 高效率: 较低的导通电阻允许在高电流下运行，从而减少功率损耗，提高整体系统效率。
- 宽广的工作温度范围: -55°C到150°C的宽温范围使其在各种环境条件下都能可靠工作。
- 优异的开关性能: 低电荷特性与快速开关能力使得该MOSFET在高频应用中表现出色。
- 可靠性: 经过严格的测试和验证，确保可在苛刻条件下稳定工作。
结论
BSC196N10NSGATMA1 MOSFET以其卓越的性能、极佳的散热能力和宽泛的应用范围，成为现代电子产品设计中理想的选择。无论是在电源管理、工业设备还是电动汽车领域，BSC196N10NSGATMA1都能提供出色的电流控制和转换能力，是提升产品可靠性和性能的有效解决方案。选择BSC196N10NSGATMA1，您将获得更高效、更可靠的电子设计体验。