型号:

TPS2812DR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOIC-8
批次:-
包装:编带
重量:0.175g
其他:
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TPS2812DR 一小时发货
描述:栅极驱动芯片 TPS2812DR SOIC-8
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.51
100+
4.6
1250+
4.18
2500+
4.01
产品参数
属性参数值
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
峰值灌电流2A
峰值拉电流2A
电源电压4V~14V
上升时间14ns
下降时间15ns
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)

TPS2812DR 产品概述

概述

TPS2812DR 是德州仪器(Texas Instruments,简称 TI)推出的一款高性能栅极驱动芯片,专为高效驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 设计,主要应用于电源管理和功率转换领域。该芯片能够在广泛的电压范围内(4V ~ 14V)工作,适合多种低端驱动配置,提供出色的输入和输出特性,确保高效的开关操作和可靠的系统性能。

关键特性

  1. 通道类型与驱动配置:

    • TPS2812DR 是一种同步驱动器,配备有 2 个驱动通道,能够同时驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET。这使得它在许多应用中非常灵活,例如在逆变器、DC-DC 转换器以及电动机驱动中。
  2. 逻辑电压门限:

    • 此驱动器具有逻辑输入电压范围,VIL(最大 1V)和 VIH(最低 4V),确保与各种微控制器和数字逻辑电路兼容,有效简化电路设计。
  3. 电流输出能力:

    • TPS2812 的峰值输出电流能力高达 2A(灌入和拉出),这使其能够快速驱动大功率 MOSFET,降低开关损耗,并提高系统整体效率。
  4. 快速开关特性:

    • 上升和下降时间分别为 14ns 和 15ns,展示了优秀的动态性能。这一特性在高频应用中尤为重要,能够有效减少开关过程中的能量损失,并提高整体效率。
  5. 工作温度范围:

    • TPS2812DR 工作于宽广的温度范围(-40°C ~ 125°C),适合在各种恶劣环境下运行,符合工业级标准。这使得该芯片非常适合航空航天、汽车以及海洋等要求高可靠性的应用。
  6. 封装与安装类型:

    • 本产品采用表面贴装型(SMD)SOIC-8 封装,尺寸为 0.154"(3.90mm 宽),方便进行自动化焊接和节省 PCB 空间,提高整体设计的紧凑性。

应用领域

TPS2812DR 的设计可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • DC-DC 转换器: 作为开关电源中的关键元件,TPS2812DR 可以有效驱动 MOSFET,帮助实现高效的电源转换。
  • 电动机驱动: 在电动机控制系统中,其高输出能力和快速响应时间帮助实现精确的控制和高效的功率管理。
  • 逆变器: 用于太阳能逆变器、电源系统中,保证系统的高效运行和稳定输出。
  • 工业自动化: 在各种工业设备和控制系统中,确保系统的可靠性和耐用性。

总结

TPS2812DR 是一款高效、可靠的驱动芯片,适用于多种需要快速开关和高驱动电流的电源设计。其优秀的性能参数和广泛的应用潜力使其成为电子工程师的重要选择。无论是在创建高效电源系统,还是在实施复杂的功率控制方案,TPS2812DR 都能帮助设计师优化设计、提升性能,并满足现代电子产品日益增长的需求。