型号:

BC858CLT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
BC858CLT1G 产品实物图片
BC858CLT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 30V 100mA PNP SOT-23
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产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)90@10uA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:BC858CLT1G PNP晶体管

1. 引言

BC858CLT1G是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),其设计用途广泛,特别适合用于低至中等电流应用的开关和放大电路。这款晶体管在表面贴装领域(SMD)中非常受欢迎,因其优良的电气特性和高效的热性能,成为许多电子产品的首选元件之一。

2. 基本参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic)最大值:100mA
  • 集射极击穿电压(Vceo)最大值:30V
  • 饱和压降(Vce(sat)):在Ic为5mA和100mA时,其最大值为650mV,这使得其在开关操作时能够有效地降低功耗。
  • 集电极截止电流(ICBO):最大值为15nA,反映了器件在关闭状态下的优异漏电特性。
  • 直流电流增益(hFE):在Ic为2mA和Vce为5V时,最小值为420,表明其具有良好的放大能力。
  • 功耗:最大功率为300mW,适合需要较高功率处理能力的应用。
  • 工作频率:其跃迁频率可达100MHz,适合于高频应用的电路设计。
  • 工作温度范围:能够在-55°C至150°C的环境中稳定工作,适用于苛刻温度环境下的设备、如汽车电子及工业控制。

3. 封装及安装

BC858CLT1G采用了SOT-23-3(TO-236)封装,具有体积小、重量轻的特点,非常适合用于空间受限的电子设备。此外,表面贴装型的设计使得其能够方便地通过自动化贴装设备进行组装,降低了生产成本与时间,提高了生产效率。

4. 应用领域

BC858CLT1G广泛应用于多种电子设备中,以下是一些典型应用:

  • 信号放大:由于其高增益和良好的频率特性,BC858CLT1G可用于音频放大器、无线电频率放大器等。
  • 开关电路:其高集电极电流能力(高达100mA)使其非常适合用于开关电源、LED驱动电路等。
  • 汽车电子:由于其宽广的工作温度范围,BC858CLT1G被广泛应用于汽车电子系统中,如车载音响、仪表盘控制等。
  • 工业控制:在传感器输出信号放大、开关控制等场合具有良好的使用效果。

5. 性能优势

BC858CLT1G的设计考虑了当前电子市场对于高效、可靠和微型元件的需求。其在多个参数上的优越性能,使得它在同类产品中具有竞争优势。尤其是在高频操作、低功耗以及高精度应用中,BC858CLT1G表现尤为突出。此外,该器件的长期稳定性和低漏电流特性,能够有效延长整个电路的使用寿命。

6. 总结

BC858CLT1G是一款功能强大、性能可靠的PNP半导体晶体管,适用于多种应用场合。其高增益、低功耗和广泛的工作温度范围使其在市场中占有一席之地,是设计工程师在选择电子元件时的重要考虑对象。

总之,BC858CLT1G的卓越性能和灵活应用使其在现代电子技术中不可或缺,适用于无线通信、消费类电子、汽车电子及工业自动化等多个领域。