描述：场效应管(MOSFET) 8W 55V 7A 1个N沟道 SOT-223-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,10A
功率(Pd)8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)500pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
BUK7880-55A/CUX 产品概述
产品简介
BUK7880-55A/CUX是一款高性能的N沟道MOSFET，专为需要高效能和高可靠性的电子应用而设计。其旨在提供优异的电流控制和功率管理，适用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动以及其他高功率电子设备。这款MOSFET具备强大的电流处理能力、低导通阻抗和宽输出电压范围，满足用户在复杂电路设计中的需求。
基本参数
- FET类型: N沟道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 55V
- 连续漏极电流（Id）: 7A（在 Tc = 25°C）
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
- 导通电阻（Rds On）: 最大80毫欧，适用于10A电流和10V驱动电压
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大4V（在1mA时）
- 输入电容（Ciss）: 最大500pF（在25V时）
- 栅极电荷（Qg）: 最大12nC（在10V时）
- 功率耗散: 最大8W（在 Tc下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: SOT-223（TO-261-4，TO-261AA）
应用领域
BUK7880-55A/CUX的设计使其特别适合于电源管理和开关应用。它的特点包括：
高效开关电源: 在开关电源中，MOSFET的开关速度和导通电阻对效率具有重大影响。BUK7880-55A/CUX有效降低了能量损耗，并提高了整体电源效率。
电机驱动: 由于其高电流能力，该MOSFET适合用于电机驱动应用，能够承受高井然井然的电流负载，为电机提供稳定可靠的驱动。
车载应用: BUK7880-55A/CUX的工作温度范围广泛（-55°C至150°C），非常适合车载电子设备的使用，满足汽车行业严苛的环境条件。
DC-DC转换器: 在各种DC-DC转换器中，该MOSFET能够有效作为开关元件，提高转换效率，降低热量产生。
技术优势
- 低导通阻抗: 80毫欧的导通阻抗意味着在电流过载时会产生更少的热量，从而改善设备的整体效率和可靠性。
- 快速开关特性: 12nC的栅极电荷使得该MOSFET可以实现快速开关，提升电路的性能，降低开关损耗。
- 高功率处理: 具备8W的功率耗散能力，能够有效处理高功率应用中的要求，确保长期稳定的运行。
- 优异的热管理: 典型的表面贴装封装(SOT-223)及较宽的工作温度范围，使得BUK7880-55A/CUX在温度变化剧烈的环境中依然能够保持良好的工作性能。
总结
BUK7880-55A/CUX凭借其优异的电流处理能力、低导通电阻、快速开关特性和宽广的工作温度范围，是各类高性能电源和开关电路的理想选择。作为安世半导体的产品，它代表了尖端技术与可靠性的结合，能在多种应用中提供出色的性能表现。无论是用于电机控制、电源管理还是其他电子设备，BUK7880-55A/CUX都能满足并超越使用者的期望，推动电子设备的高效能和可靠性发展。