型号:

PUMD10,125

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PUMD10,125 产品实物图片
PUMD10,125 一小时发货
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 SOT-363
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200+
0.218
1500+
0.189
3000+
0.168
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)750mV@5mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)600mV@100uA,5V
输入电阻2.2kΩ
电阻比率21
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:PUMD10,125 数字晶体管

一、产品简介

PUMD10,125是由安世(Nexperia)推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-363)设计,专为数字电路及信号放大应用而设计。这款双极型晶体管包含一个预偏置的NPN晶体管和一个预偏置的PNP晶体管,旨在实现高效的电流控制和开关驱动。

二、基础参数

PUMD10,125的主要电气特性包括:

  • 晶体管类型:1个NPN和1个PNP,均为预偏置式设计。
  • 集电极电流(Ic):最大100mA,适合中小功率应用。
  • 集射极击穿电压(Vce, max):额定50V,适合多个电源电压应用。
  • DC电流增益(hFE):在Ic为10mA,Vce为5V时,最小增益为100,意味着可以实现很好的信号放大效果。
  • 饱和压降(Vce, sat):在特定工作条件下,最大仅为100mV(250µA、5mA),确保低功耗和热特性优秀。
  • 集电极截止电流(Ic, cut-off, max):最大仅为1µA,体现其优异的关闭特性。
  • 功率最大值:200mW,适合多种应用场景,并且确保可靠性。

三、应用场景

PUMD10,125特别适合用于数字电路设计,例如:

  • 信号放大:可用于各种模拟信号的前置放大。
  • 开关驱动:在需要控制电流的应用中,比如LED驱动、继电器驱动等。
  • 逻辑电路:适合用于实现开关量电路。
  • 放大器电路:可以作为音频、视频信号等的放大器。

四、封装与安装

这款数字晶体管采用6-TSSOP(SOT-363)封装,具有小巧的体积,适合空间紧凑的电路设计,且表面贴装特性使其易于自动化生产。这一封装的热性能优越、良率高,能够满足现代电子设备对集成度和功率密度的需求。

五、性能优势

  1. 高灵敏度与稳定性:得益于其高电流增益和高集电极电流,PUMD10,125在信号放大和开关控制中提供了优异的性能。
  2. 低功耗:其显著的低饱和压降和集电极截止电流特性,使得产品在工作期间能降低功耗,延长电池寿命。
  3. 宽广的应用范围:无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子中,该晶体管均能找到合适的应用领域。
  4. 可靠的热管理:封装设计提供了出色的热性能,确保在高温环境下的可靠性。

六、总结

PUMD10,125数字晶体管以其卓越的性能、灵活的应用范围以及强大的制造商支持,成为了工程师及设计师在开发方案时的优选组件。安世的产品以其高品质及可靠性而广受好评,PUMD10,125无疑是电子元器件开发中的一件利器,能够在各种电子应用中提供稳定高效的性能表现,推动产品设计的创新与发展。